[场致发射电子器件数值模拟]金铎

【场致发射电子器件数值模拟】金铎.pdf摘要 Fowler-Nordheim公式。利用有限单元法对真空微电子器件进行电特性 数值模拟。数值模拟的结果与Spindt等人的实验结果进行比较,发现实 验结果往往比根据F-N公式计算的结果大很多,说明这一理想化的公式 因,具体地分析了锥体尖端微细结构对逸出功函数、电场强度和有效发 射面积的影响,并对F-N公式提出了合理的定量修正方法。利用修正公 式讨论了场致发射特性与Spindt阴极物理结构参数的关系,并计算了尖 端电场强度、场致发射电流密度分别随锥体尖端的曲率半径、锥体半角 度、栅孔半径和锥体高度的改变的变化曲线。目 第-章概述.第二章金属的场致电子发射 S2引言 S2金属场致发射理论.S2温度对场致发射的影响,S2金属场致发射的实验验证,第三章有限元法的基本原理 S3有限元法的优越性.S3有限元法的具体应用,第四章Spindt阴极的数值模拟 S4模拟方法 S4模拟结果.S4有效发射面积的讨论.S4微尖表面凸起的影响.S4关于结构参数的讨论.总结.致谢.参考文献.第一章概述 及场发射材料本身的研究构成了真空微电子学的主要研究方向.场致发 射平面显示器件(FED)近年来成为研究的热点之一,它具有平面超 薄、重量轻、功耗低的优点,在分辨率、响应速率及彩色显示方面比目 前使用的显示器件更具优越性,使其有可能发展成为21世纪最重要的 显示器件。另外真空微电子管具有整体尺寸极其微小,电子源是冷阴 极,发射电流密度高的特点,能够实现兆赫级放大器件或超高速器件,并且耐高温,耐辐射,由于这些优点,真空微电子管是近年来正在发展 的新兴器件。
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