[激光萤光法检测半导体特性及数据采集处理系统的研究]董红兵

【激光萤光法检测半导体特性及数据采集处理系统的研究】董红兵.pdf摘要 本论文论述了利用光致发光技术来研究置一V族化合物半导体 材料 GaAs。jGaAIAs 的理论和方法。众所周知,GeAs.GaAIAs是制作发光二极管。半导体激光器及负电子亲和势光电阴 极(NEA)基片的重要材料,其性能直接影响到由其所制成的器件 质量。作为例行的检测方法,要求无损伤,方便实用。我们特建立 光致发光实验装置对透射式NEA光电阴极的过渡层GB.A1xAS及 发射层P一GaAs进行无损检测的研究。对发射层P一GaAS,我 们利用其光致发光光谱测量了其掺杂浓度及其沿表面的完整性。对 于Gag一xA1xAs材料,我们测量了其x组份。:当x
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