【激光萤光法检测半导体特性及数据采集处理系统的研究】董红兵.pdf

摘要本论文论述了利用光致发光技术来研究置一V族化合物半导体材料 GaAs。jGaAIAs 的理论和方法。众所周知,GeAs.GaAIAs是制作发光二极管。半导体激光器及负电子亲和势光电阴极(NEA)基片的重要材料,其性能直接影响到由其所制成的器件质量。作为例行的检测方法,要求无损伤,方便实用。我们特建立光致发光实验装置对透射式NEA光电阴极的过渡层GB.A1xAS及发射层P一GaAs进行无损检测的研究。对发射层P一GaAS,我们利用其光致发光光谱测量了其掺杂浓度及其沿表面的完整性。对于Gag一xA1xAs材料,我们测量了其x组份。:当x<036时。

目录第一绪论一。光致发光技术的发展史及开展此课题的意义二、光致发光技术的特点和应用三、论文工作及特点第二章光致发光技术的理论原理第一节半导体的复合发光过程第二节重掺半导体中的福射跃迁第三节 GaALAs三元混晶x组份测量第三章实验装置 2 第一节激发光源第二节样品室及样品第三节探浏器第四节光栅单色仪 *25 第五节锁相放大器 28 第四章实验与结果分析第一节光电倍增管特性的测试 m

第一章绪论一、光致发光技术的发展史及开展此项课题的意义光致发光技术是几乎和光吸收技术一样古老的分析方法。在早期,由于受激发光源的限制,其应用和发展均受到很大局限。只是在离子激光器出现以及化合物半导体材料日益显示其重要性并广泛应用之后,这种方法才得到重视并迅速发展起来,并成为评价直一在国外,这种技术是七十年代初发展起来的 1972年,E,Fbre首先讨论了用此种方法评价直一V族化合 GaA1As 材料的荧光谱 2 对于GaAs 材料。到1975年其多种种技术在置一V族化合物测试中的应用日益广泛,成为基本的测试方法之一。