【磁增强反应离子刻蚀的研究】伍兆强.pdf

目录摘娶一、概述二、磁增强反应离子刻蚀的基本原理2、等离子体物理的一些基本概念2、等离子体中带电粒子在磁场梯度7B下的漂移运动三、磁增强反应离子刻蚀系统的设计3、反应离子刻蚀系统的设计考虑3磁场的设计3、本实验系统简介四、反应系统的Langmuir静电探针测量(4.) 41、Langmuir 静电探针诊断原理4、Langmuir静电探针测盘结果4.

摘要本人在毕业论文设计中,主要完成了以下几项工作:、1、在以往的二极型反应离子刻蚀系统结构上,设计了一台磁增强反应离子刻蚀系统。经过调试,系统已成为一台实用的刻蚀系统.2、在MRIE和RIE系统上进行射频Langmuir探针测量,并比较它们的测量结果。对射频工angmuir探针测量中退到的儿个间题作了探讨.3、对磁增强反应离子刻蚀的机理作了理论上的阐述,并提出了一种测量射频放电离子电流的新方法.4对KRIE和RIE的基片轰击损伤及其它一些问题进行了探讨 5就 MRIE和RIE对 Si玛耳约刻蚀工艺进行了实验研究。

10一Torr左右.电子温度随着压强的升高而下降。MRI的离子密度和电子温度对压强的变化没有R工E那么敏感。本文还就射频工angmuir静电探针测量中的几个实际问题作了探讨和研究在电容耦合不对称二板射频刻蚀系统中,由于地电极和加电电极的极大的不对称性,离子轰击基片的能量近似地与两电极间的直流偏压成正比。由测量结果发现,在同样条件下,MRIE系统的直流偏压比R工E系统小得多,并且这个差异随着压强的降低而变大.这就从实验间接地证实了MR工E系统对刻钟基片轰击损伤比般的的RIE系统小得多.本文提出了一种测量射频放电离子电流的新方法。实验发现L RIE的离子电流比一般RIE大。