[反应离子刻蚀装置及电诊断技术]朱新奇

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专题
反应离子刻蚀装置及电诊断技术
类别
科技工程
页数
67页
大小
3.24MB

【反应离子刻蚀装置及电诊断技术】朱新奇.pdf目录 摘娶 一、概述 二、反应离子刻蚀系统的设计 2.RIE系统设计考虑 2。2本实验系统简介 -2 三、平板rf放电等效电路的建立及其在反应离子 刻蚀参量估算中的应用 3 国外关于rr放电等效电路模型的研 究状况 3 RIE放电模型之各种简化形式 3 rf放电等效阻抗的测量方法 3 根据等效电路模型计算直流自偏 压和鞘层厚度 3 Koenig一Maissel模型的建立及对等离 子电位和离子入射能量比的估算 3。摘要 在等离子加工工艺中,刻蚀效果的好坏与许多因素有关。妥取 得满意的图形质量,除精心选择工艺外,设计一良好的加工系统也 是至关重娶的.本文所设计之设备是目前世界上公认效呆最好的平板型装置,除了通常平板型设备的优点外,本系统还具有不用外加直流电源面 可控制直流自偏压的特点,这便我们可将离子入射能量独立控制在 适当的大小而不必为极板面积比的问题发愁。实验发现,这与精心 设计面积比之反应装置效果相同。作为今后同类装置的设计,这是 个很好的借鉴,本文随后者重用rf平板放电等效电路模型对系统放电参量作 了研究,推证了相应的放电参数求法公式,并将其计算曲线与实验 曲线作了比较,得到相当满意的结果。短十几年间,干式技术从设备到工艺不断发展,虽然有些机理仍不 十分清楚,但作为一种工艺手段,它已日趋成熟,并完全取代了湿 法技术而在工C制造中占主导地位。我国在这方面受人力资金及 其它原因的限制发展较慢,并且由于生产人员素质较低,干式技术 难以推行,目前生产线上仍大多采用的是湿法技术,这必然限制了 IC向VLSI的迈进,影响我国微电子工业的发展 干式技术发展至今,其优越越来越明显,我们可以列举如下,和湿法作一对比,看出应用干式技术的重要性。
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