【反应离子刻蚀装置及电诊断技术】朱新奇.pdf

目录摘娶一、概述二、反应离子刻蚀系统的设计 2.RIE系统设计考虑 2。2本实验系统简介 -2 三、平板rf放电等效电路的建立及其在反应离子刻蚀参量估算中的应用 3 国外关于rr放电等效电路模型的研究状况 3 RIE放电模型之各种简化形式 3 rf放电等效阻抗的测量方法 3 根据等效电路模型计算直流自偏压和鞘层厚度 3 Koenig一Maissel模型的建立及对等离子电位和离子入射能量比的估算 3。

摘要在等离子加工工艺中,刻蚀效果的好坏与许多因素有关。妥取得满意的图形质量,除精心选择工艺外,设计一良好的加工系统也是至关重娶的.本文所设计之设备是目前世界上公认效呆最好的平板型装置,除了通常平板型设备的优点外,本系统还具有不用外加直流电源面可控制直流自偏压的特点,这便我们可将离子入射能量独立控制在适当的大小而不必为极板面积比的问题发愁。实验发现,这与精心设计面积比之反应装置效果相同。作为今后同类装置的设计,这是个很好的借鉴,本文随后者重用rf平板放电等效电路模型对系统放电参量作了研究,推证了相应的放电参数求法公式,并将其计算曲线与实验曲线作了比较,得到相当满意的结果。

短十几年间,干式技术从设备到工艺不断发展,虽然有些机理仍不十分清楚,但作为一种工艺手段,它已日趋成熟,并完全取代了湿法技术而在工C制造中占主导地位。我国在这方面受人力资金及其它原因的限制发展较慢,并且由于生产人员素质较低,干式技术难以推行,目前生产线上仍大多采用的是湿法技术,这必然限制了 IC向VLSI的迈进,影响我国微电子工业的发展干式技术发展至今,其优越越来越明显,我们可以列举如下,和湿法作一对比,看出应用干式技术的重要性。