[等离子刻蚀机理及其诊断技术]黄飙

【等离子刻蚀机理及其诊断技术】黄飙.pdf提要 微电子学工业中等离子刻蚀工艺的演变:导致了大规模和超大 规模集成电路的不断发展。等离子刻蚀业己成为集成电路制作中的 一项重要技术,随着几何图形继续缩小到亚微米领域:这一技术的 重要性将进一步增加。在保持超大规模集成电路的等离子刻蚀所需 的精确控制方面,工艺过程的监控是非常重要的。本文叙述了CF 高频放电的等离子体模型化学模型和表面相互反应模型,综述了 前人在硅S12和S1刻蚀机理方面所作的工作,论述了负 载流速和温度对等离子刻蚀的影响.阐述了把谱线发射强度和反 应粒子浓度联系起来的一种光谱分析技术一OPt1casS1一 onAetinometry及实在刻蚀机理研究方面的应用.四等离子刻蚀的质谱分析技术 5S 1质谱分析技术在等药子刻蚀中的应用 2质谱的定量分析方法 3质谱分析技术在等离子刻蚀应用中的三种抽样方式58 4质谱实验数据及计算机处理结果 五结束语 致谢 参考文献形。这种方法原则上也适用于湿法腐蚀,另一类方法是间接检测法 它监测刻蚀进行过程中相应地变化着的物理量。实用化的终点监测 方法大体上是这类间接监测法。表1一 给出了等离子刻蚀的各种 实时监测方法。在间接检测法方面,给出了等离子体发光的光谱分 析法、质谱分析法化学发光测量法和探针法。从终点检测的角度 可看出干法刻蚀比湿法刻蚀易于实现实时监测因而更易于自动化.在等离子刻蚀机理的研究中,人们广泛地采用了光谱分析法和 质谱分析法。发射光谱用作终点检测的历史最长。早在 968年,技术,观察到剥离完毕时发光颜色的变化。1977年,Grirf1一 thsα1.
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