【等离子刻蚀机理及其诊断技术】黄飙.pdf

提要微电子学工业中等离子刻蚀工艺的演变:导致了大规模和超大规模集成电路的不断发展。等离子刻蚀业己成为集成电路制作中的一项重要技术,随着几何图形继续缩小到亚微米领域:这一技术的重要性将进一步增加。在保持超大规模集成电路的等离子刻蚀所需的精确控制方面,工艺过程的监控是非常重要的。本文叙述了CF 高频放电的等离子体模型化学模型和表面相互反应模型,综述了前人在硅S12和S1刻蚀机理方面所作的工作,论述了负载流速和温度对等离子刻蚀的影响.阐述了把谱线发射强度和反应粒子浓度联系起来的一种光谱分析技术一OPt1casS1一 onAetinometry及实在刻蚀机理研究方面的应用.

四等离子刻蚀的质谱分析技术 5S 1质谱分析技术在等药子刻蚀中的应用 2质谱的定量分析方法 3质谱分析技术在等离子刻蚀应用中的三种抽样方式58 4质谱实验数据及计算机处理结果五结束语致谢参考文献

形。这种方法原则上也适用于湿法腐蚀,另一类方法是间接检测法它监测刻蚀进行过程中相应地变化着的物理量。实用化的终点监测方法大体上是这类间接监测法。表1一给出了等离子刻蚀的各种实时监测方法。在间接检测法方面,给出了等离子体发光的光谱分析法、质谱分析法化学发光测量法和探针法。从终点检测的角度可看出干法刻蚀比湿法刻蚀易于实现实时监测因而更易于自动化.在等离子刻蚀机理的研究中,人们广泛地采用了光谱分析法和质谱分析法。发射光谱用作终点检测的历史最长。早在 968年,技术,观察到剥离完毕时发光颜色的变化。1977年,Grirf1一 thsα1.