【彩电消磁器半导体钛酸钡陶瓷及耐压机理研究】徐国跃.pdf

摘要 -。引言二、文献综述、PTC效应理论模型的提出及发展 2,PTC材料耐压特性研究水平三、实验过程及结果.1、试样制备过程 2、配方实验 3、性能测试 4.结果四、耐压机理研究 1,宏观电性能与耐压关系 2,显微结构分析的实验技术 3、显微结构与耐压关系 4。耐压关系基本表达式的推导过程五讨论 1。关于α。éff 使耐压值增高原因的解释 2,关于β使耐压值增高原因的探讨 3,局部过热击穿现象探讨六结论

摘要利用低纯原料研制成功(Ba1一xSrx)TiO系彩电消磁 PTC热敏电阻器(PTCR)。经电子部南京无线电厂,江西赣新电视有限公司实际测定,消磁性能良好,达到实用要求.本文对PTCR耐压机理进行研究。根据热平衡理论,推导出耐压关系方程式:[Sβp(Tmax-T。)oxp(oeff/K-Tmax)V=0A 式中有效势垒。eff表明PTC效应和压阻效应大小。散热系数 β与第二相有关。A衡量晶粒之间的接触。安和d是试样几何尺寸。这些因素都在本文中给予了讨论。

干扰产生剩余磁场。这种有害磁场的存在,使会聚磁场,色纯磁场等有用磁场功能减弱,引起电子束偏离,使图像清晰度下降.消除剩磁的有效方法是把PTCR与一组线圈串联,在接通电源瞬间,PTCR处于低阻状态,回路中产生大的浪涌电流,同时线圈产生强的交变磁场。短时间内 PTCR因功耗,阻值急剧上升,线圈中电流减小,交变磁场逐步减弱,达到消磁目的。消磁原理见图1.为获得良好的消磁效果,要求消磁元件,必须有大的起始电流,较小的残余电流及适当的延迟时间等特性。特别是在利用延迟特性时,PTCR上承受的电压！相当高,为保证消磁元件的工作可靠性和使用寿命,要求高的耐压能力。