【大应变AB位固溶改性PZT基陶瓷两种机电耦合效应的研究】阳辉.pdf
华南理工大学 电子材料与元器件专业学位论文 大应变A/B位固溶改性PZT基 陶瓷两种机电耦合效应的研究 阳辉 导师:庄志强教授 谢进副教授 ※本论文研究属国家*863计划715-10-02部分内容,材料仅供内部交流。
华南理工大学学位论文 摘要 本论文通过固溶BT.ST及PMN组分进行A/B位改性,得到一系 列大应变PZT基陶瓷,研究了两种机电耦合效应-压电效应和电致 伯缩效应对性能的影响,主要包括:应变.滞后及压电常数等 实验结果表明:PZT陶瓷中固溶BT、ST及PMN组分,可降低材料 的居里温度Tay,提高相变弛豫程度,改善相变区应变的温度稳定 性,场诱应变由两部分组成,它们是压电应变和电致伸缩应变分 量压电效应对应变有贡献的同时,将使应变滞后增大,应变初始 态回零特性变差:而电致伸缩效应则有利于减小滞后,实现应变初 始态的回零。在低频和扩散相变区,场诱应变与频率关系不大.
华南理工大学学位论文 Two typicalPZT-based ceramicba8beend devoloped: Large strainmaterial(X1>3x10-8)and smallhysteresis material(X1=1.1×10-,.X1/X1m8x<8)Using amultilagertechnology, 8MLT configuration microdispl-acement devicewithpractical 1levelha8 been manufacture.[wshop_paid show_buy_btn="true"]