【准二维极性晶体膜和界面中磁极化子回旋共振质量研究】张国强.pdf

【准二维极性晶体膜和界面中磁极化子回旋共振质量研究】张国强.pdf

准二维极性晶体膜和界面中磁极化子回旋共振质量研究 目 一、摘要 二、引言 三、系统的哈密顿量 1.界面的哈密顿量 2.极性晶体膜的哈密顿量 四、有效质量关系式 1.界面极化子的质量关系式 2.极性晶体膜极化子的质量关系式 五、数值计算结果 1.GaAs/GaSb界面的计算结果 16 2.InAs/GaSb界面的计算结果 3.一、摘要 众所周知,电子回旋共振可作为研究物理系统某些物理性质的探针。近年来,准二维 系统的研究已引起了人们广泛的兴趣,但对其电子回旋共振的研究,特别是正确地考虑到 准二维系统中电子一声子相互作用的研究尚很少。本论文根据有限温度下准二维系统中磁 极化子的回旋共振理论,同时考虑到电子与体内纵光学模声子和表面(或界面)光学模声子 的相互作用,应用推广的Larsen微扰理论方法,研究了有限温度和任意磁场强度下极性晶 体界面,极性晶体膜等准二维系统中磁极化子的回旋共振质量与温度、磁场强度、膜的厚 度等的关系。X A=B。如一个自由电子在 在晶体1中运动,即在Z>0区域内运动,可以认为在晶体2中有一个势垒。不失一般性,我 们假设势垒为无限高,因此电子的活动被限制在晶体1的范围。在本文研究的内容中,我们 同时考虑晶体内纵光学模声子和界面光学模声子的相互作用。根据有效质量的各向同性近 似,电子一声子系统的哈密顿量可以表述为:H=H.+HH-=Ho+HH=He-Lo+He-10Ho=Hxy+HphP2mb m Hoh=∑hWoaak+∑hWrobbq q H-10=∑.[Vksin(ZK)exp(iK,)a+H.C.