[半导体的饱和吸收]冯小鹏

【半导体的饱和吸收】冯小鹏.pdf目录 一、稿要 二.引言 三.来导阵的非线性的宏观描述”四、半导体的绝事的吸收模型 五、直接跃迁绝和.六间接迁绝和 七.一些叔值结朵及分析 八.本纪半导体绝和的特性付论 九.对纯吸收型光学双稳的学讨 十、结论及不足.十一、致谢.十二,附图 十三.引言 半导体的光学性质一直是人们所感兴趣的深题 在不同的光增段范围内对半导阵的研究,分别揭子 了带间激发、带内跃迁、杂质收收、激子吸收、白由 载流子吸收和晶格振动寸物理过程,尤其是对电子 从阶带到导带的吸收边的研究,往之可以得到半导 体能带边的一些重子它息 一由于激壳四这一强有力的 工具的出现使得所究来导法的光学非线性效应 革导法只有成为 成为可能近之十多来的研节 良好的光学非线性元四件 条件,这为半导体 材红的应用又升障了广阔的领域。回而近年来,对率 导你非线性光学的研究核外引人注目,从理有的理论者 非线性研究则 重于两个方向;一是而质对 致的频率特性 释了二倍频.的绝和过程做了“能级“处空。人上响工作所工同 之处在于:对衫入驰予机制的多种修心。它的都必同 程转也完善了半导体的非线性吸收理论,但是限 了直好迁的处空,对于间好跃迁半导体的绝事吸 收远不结给玉很好地解释,其孕自在手“能级”的知障处些是将布后点的变化马疑迁过程统了地 来考虑。但我的经细致地研究认为:绝如吸收 与之相关的布居志的变化,与路迁过程的特性无关 这在密使绝降方法中是纪难得到反唤的。为情 出这一点,我们可举倒出如下:没一物理子统的哈 密物为 H=H。
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。