【半导体的饱和吸收】冯小鹏.pdf

目录一、稿要二.引言三.来导阵的非线性的宏观描述”四、半导体的绝事的吸收模型五、直接跃迁绝和.六间接迁绝和七.一些叔值结朵及分析八.本纪半导体绝和的特性付论九.对纯吸收型光学双稳的学讨十、结论及不足.十一、致谢.十二,附图十三.

引言半导体的光学性质一直是人们所感兴趣的深题在不同的光增段范围内对半导阵的研究,分别揭子了带间激发、带内跃迁、杂质收收、激子吸收、白由载流子吸收和晶格振动寸物理过程,尤其是对电子从阶带到导带的吸收边的研究,往之可以得到半导体能带边的一些重子它息一由于激壳四这一强有力的工具的出现使得所究来导法的光学非线性效应革导法只有成为成为可能近之十多来的研节良好的光学非线性元四件条件,这为半导体材红的应用又升障了广阔的领域。回而近年来,对率导你非线性光学的研究核外引人注目,从理有的理论者非线性研究则重于两个方向;一是而质对致的频率特性释了二倍频.

的绝和过程做了“能级“处空。人上响工作所工同之处在于:对衫入驰予机制的多种修心。它的都必同程转也完善了半导体的非线性吸收理论,但是限了直好迁的处空,对于间好跃迁半导体的绝事吸收远不结给玉很好地解释,其孕自在手“能级”的知障处些是将布后点的变化马疑迁过程统了地来考虑。但我的经细致地研究认为:绝如吸收与之相关的布居志的变化,与路迁过程的特性无关这在密使绝降方法中是纪难得到反唤的。为情出这一点,我们可举倒出如下:没一物理子统的哈密物为 H=H。