【半导体带填充型光学双稳系统稳态和动态的研究】张晓东.pdf

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半导体带填充型光学双稳系统稳态和动态的研究输 要 本文招半导体会供一个非均匀加宽的二能级系统,计算了直 接跃迁窄带政半导体的极化率,.次了B、S、whrret等 [29] 人所到的极化率点药同趣。利用该极化率,研究了量于卫一P 标准具中的半导你的光学双稳稳态特烂,对于InSb,取得了与 实验一效的结果,本文还利局文所所得到伤普适性的光 学双稳系统的动力学方起,在平均场步似下研究了平导体带填充 型光学双稳性。在稳态研究中,推这了半导带填充光学双农系 统的双德条件和临界会作参量.给品了临易关光强与入射光频 率韵关系,对于Insb,解释了致近的实验结果。近年来E广泛开房对半导体光学双称品代研街,1979年,1 年,Gibbs等人示用GaAs一AlCAs多重量子阱树,观察药蜜漫 1 9 8 3年BH0ner1age第-次观测到Cu C1的光学双稳性,其特点录于关能间快(10-10秒),但片需开关功率境大.[12] [4] [15] 政外,润到CdHgeZnS.ZnSeInAs 617] Gibbs宽oaAs一A1CeAs的非门无关羽象,所备开关能士小于 8×10-1集,开关时同10-12秒,塞温工位,这为选今能 辛导体光学双独性超源于半导的三阶非线性极化现款 不同的半导体样救产生光双稳性的机制不国的。