【多层低维半导体系统高能态电子隧穿性质研究】屈晔.pdf

分类号学校代码:UDC 密级学号:华南理工大学学位论文多层低维半导体系统高能态电子隧穿性质研究(广东省自然科学基金资助项目)屈晔指导教师姓名蔡敏教授应用物理系申请学位级别_硕士专业名称凝聚态物理论文提交日期_1999 论文答辩日期 1999.

华南理工大学硕士学位论文摘要本文应用散射矩阵的方法,计算了一种多层低维半导体系统一一三元准周期超晶格的高能电子透射率。结果表明:受到准周期超晶格结构调制时,势垒以上能量区域也出现分立的共振能级。随着系统层数的增加,高能态电子透射的区域越来越集中于某一小的能量范围。电子波函数几率分布具有与三元准周期超晶格遵循的迭加关系相一致的自相似性质。电子能量大于势垒高度的情况下,系统中也存在三种典型的电子态-即扩展态,局域态,临界态。扩展态对应着电子透射率较大的能量状态,局域态对应着电子透射率较小的能量状态,临界态对应的能量状态介于上述两者之间。

第一章绪论第一章绪论超晶格是由两种材料薄层交替排列周期性生长而成的一种多层人工晶体材料。自70年代半导体超晶格概念被提出并得以在实际中实现以来,随着研究工作的开展,其丰富的物理内涵、推进高科技的潜力以及广阔的发展前景日益为人们所认识。经过20多年的发展,它已由一个研究专题发展成为一个以低维半导体为对象的广阔的研究领域,代表着半导体科学集中发展的主流.随着分子束外延(MBE)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等晶体生长技术的不断完善,人们已经能够根据自己的需要生长出各种类型的低维半导体材料,如量子阱,超晶格材料等待。