[富氮氮氧化硅膜的电子注入研究]张昊

【富氮氮氧化硅膜的电子注入研究】张昊.pdf分类号 学校代码:10561 UDC 密级 学号:96316 华南理工大学学位论文 富氮氮氧化硅膜的电子注入研究(广东省自然科学基金资助项目)张昊 指导教师姓名 陈蒲生教授 华南理工大学应用物理系 申请学位级别_工学硕士专业名称_微电子学与固体电子学 论文提交日期1999论文答辩日期 1999.华南理工大学工学硕士学位论文 3本章小结第四章薄膜微观结构的俄歇能谱和红外光谱分析 4薄膜的AES能谱分析.4衬底温度变化时(其它条件为标准工艺)薄膜的AES分析.4反应室气体压强变化时(其它条件为标准工艺)薄膜的AES分析 4衬底温度变化时(其它条件为标准工艺)薄膜的AES分析薄膜的红外光谱分析本章小结.第五章结果和讨论薄膜的电学特性与衬底温度关系5薄膜的电学特性与反应气体比例的关系 5薄膜的电学特性与反应气体压强的关系 5.华南理工大学工学硕士学位论文 Abstrct In thispaper,themethodofhotelectroninjection,theAugerElectron Spectroscopy(AES)analysisandtheinfraredspectrumanalysishavebeen used toinvestigatemicrostructure andelectrical characteristicss ofnitrogen- richSiOxNyfilmproducedbythemethodofPlasmaEnhancedChemical VapourDeposition(
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