【硅衬底Sr1-xLaxTiO3淀积膜光敏特性研究】原举锋.pdf
目录 摘要(中、英文) 一、引言 二、光与光敏传感器基本理论 1、光 2、光敏传感器的分类 3、光与半导体的相互作用 4、光的吸收系数与薄膜厚度的关系 三、光电导机理分析 1、光电导与光电流 2、光电导与光强的关系 四、钛酸镧锶膜的物理性质及光敏特性分析 1、Sri-xLaxTiO膜的物理性质 2、光敏元件的结构 3、光敏元件的物理效应分析 4、光敏元件的参数分析 五、实验过程 1、制造工艺 2、光敏特性的测试 3、化学组分和光谱特性分析 六、实验结果与分析 1、光电导的光谱分布 2、电流一照度特性 3、电阻一照度特性 4、伏一安特性
Abstract WemadetheSri-xLaxTiO;filmon siliconsubstratebyusing the argon-ion beam plating technique and silicon planner process,and then made the planer resistor with different distance of electrode(L) by using aluminiumetchingtechnique.WegotthespectraoftheSri-xLaTiOfilm(Eg)is3.
摘要 本研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制 备一层钛酸镧锶薄膜,然后蒸铝和利用光刻技术制作铝电极,从而制备了不同电 极距离的平面电阻型样品。利用紫外一可见光分光仪对薄膜的吸收光谱进行测 定,通过对吸收光谱进行光.谱分析后,确定本征吸收的长波限并计算出禁带宽 度。本征钛酸锶的禁带宽度为3eV,且只对紫外光敏感。但实验结果表明,经掺镧后的Sri-xLaxTiO薄膜在禁带内产生了杂质能级,禁带宽度变为2eV,从而对可见光有良好的敏感特性。薄膜的化学组分利用俄歇电子能谱测定(见附 录ⅡⅡ)。