【采用遗传算法对硅对称半导体TVS器件的结构参数进行优化设计的尝试】朱晓薇.pdf
帐目 摘要 中文.英文 一、序言.二、TVS器件的主要电学参数的理论分析(一)夹断电压(二)脉冲电流与热阻(三)漏电流(四)电容三、遗传算法的实现四、程序框图五、结果与讨论.六、附录(一)参考文献(二)程序一(三)程序二致谢.
摘要 Abstract With the development of technology,electronics and circuitshavebecome virtuailybloodcellsofhumanlife.Theprotectionforthesystem,especially the protection for the over-voltage and over-currentin the systemgainitsimportance in the system designing.
序言 由于N+PN+管这种特殊 N+PN+结 结构,空间电荷区向低 掺杂基区扩展,如果基 散热片 区厚度低于某值,基区 穿通将早于雪崩击穿前 发生,电压将被钳制在 穿通电压上。可见,基 区的厚度与保护机理直 图2TVS结构封装 接相关。同时,三个掺 杂区浓度,结深等纵向 结构参数都会影响到夹断电压的大小。要保证TVS的浪涌吸收能力足以通过系 统中引进的浪涌电流,器件设计者一定要注意影响这一指标的结构参数如面 积,材料电阻率等。于是,对多个结构参数的大小如何权衡取舍,如何兼顾各 个关键电学参数成为一个重要问题。传统的设计方法是凭经验给出一组结构参 数值,再代入一系列繁琐的计算式中验算.