【红外光弹测量砷化镓中应力】文胜.pdf

目录目录摘要中文.英文 1.前言红外光弹法状况的回顾及GaAs发展的回顾 1红外光弹法运用于GaAs中要解决的问题 2.光弹性原理应力-光性定律平面偏振光通过受力模型后的光效应 2采用森纳蒙特补偿法测定小数级条纹 3．GaAs的相对应力-光性系数C的计算不同直角坐标系下,应力弹光系数张量Ⅱ的矩阵表示式的推导光率体曲面的一般方程 3GaAs应力弹光系数张量π分量的数值几种常用直角坐标系下的GaAs的相对应力-光性系数C的计算 3.

摘要摘要本文根据红外光弹原理,计算出GaAs晶体的主要观察方向的相对应力-光性系数C,以便将我组建立起的光弹定量测量系统运用于GaAs晶体内部应力的测量。并用四点简支梁力学系统对理论计算的相对应力-光性系数C进行检验,证明计算值基本符合实验.此外,本文还测量了以GaAs晶体为衬底,生长InGaAIP:Si外延层带来的应力,并引人利用光功率计法,结合森纳蒙特(Senarmont)补偿法,测定小于1级条纹时较小应力造成的小数级条纹级数.同时,作者摸索出一套制备GaAs晶体样品的方法,可有效地克服GaAs 晶体易碎而难以制样品的困难,适用于薄片的应力观察.关键词:应力.光弹性.

前言 1.前言 GaAs是ImI-V族化合物半导体,禁带宽度大,载流子迁移率高,同时GaAs材料还具有直接跃迁和独特的双能谷能带结构,使得它们在制备光电器件和微波器件有比锗、硅更优良的性质。自前有许多光电器件,如发光二极管、激光器、光电探器、耿氏二极管、场效应晶体管、雪崩极管、肖特基二极管等微波器件和高速集成电路都可以用砷化化合物材料制作。GaAs材料生产已形成工业规模,产量逐年增加,应用越来越广.目前对GaAs性能的研究,多是从化学键、晶体结构、能带结构出发,研究GaAs的特性和它们在微波、光电器件制造中的应用。