[红外光弹测量砷化镓中应力]文胜

【红外光弹测量砷化镓中应力】文胜.pdf目录目录 摘要 中文.英文 1.前言红外光弹法状况的回顾及GaAs发展的回顾 1红外光弹法运用于GaAs中要解决的问题 2.光弹性原理应力-光性定律平面偏振光通过受力模型后的光效应 2采用森纳蒙特补偿法测定小数级条纹 3．GaAs的相对应力-光性系数C的计算不同直角坐标系下,应力弹光系数张量Ⅱ的 矩阵表示式的推导光率体曲面的一般方程 3GaAs应力弹光系数张量π分量的数值几种常用直角坐标系下的GaAs的相对应力-光 性系数C的计算 3.摘要 摘要 本文根据红外光弹原理,计算出GaAs晶体的主要观察方向的相对应 力-光性系数C,以便将我组建立起的光弹定量测量系统运用于GaAs晶体 内部应力的测量。并用四点简支梁力学系统对理论计算的相对应力-光性系 数C进行检验,证明计算值基本符合实验.此外,本文还测量了以GaAs晶体为衬底,生长InGaAIP:Si外延层带 来的应力,并引人利用光功率计法,结合森纳蒙特(Senarmont)补偿法,测定小于1级条纹时较小应力造成的小数级条纹级数.同时,作者摸索出一套制备GaAs晶体样品的方法,可有效地克服GaAs 晶体易碎而难以制样品的困难,适用于薄片的应力观察.关键词:应力.光弹性.前言 1.前言 GaAs是ImI-V族化合物半导体,禁带宽度大,载流子迁移率高,同 时GaAs材料还具有直接跃迁和独特的双能谷能带结构,使得它们在制备 光电器件和微波器件有比锗、硅更优良的性质。自前有许多光电器件,如发光二极管、激光器、光电探器、耿氏二极管、场效应晶体管、雪崩 极管、肖特基二极管等微波器件和高速集成电路都可以用砷化化合 物材料制作。GaAs材料生产已形成工业规模,产量逐年增加,应用越来 越广.目前对GaAs性能的研究,多是从化学键、晶体结构、能带结构出发,研究GaAs的特性和它们在微波、光电器件制造中的应用。
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