[晶闸管烧结应力的分析与研究]彭海鲸

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目录 摘要 中文 英文 一、引言 B 二、实验测量原理、应力一光学定律、二维应力光弹性、平面偏振光通过受力模型后的光效应 4、森纳蒙特(Senarmont)补偿法 5、相对应力一光性系数的确定 三、测量系统及样品制备、红外激光光弹测量系统、样品制备 四、晶闸管制备过程中烧结应力的分析与研究 1、晶闸管烧结应力的实验现象、晶闸管烧结应力的理论分析、晶闸管烧结应力的测量与分析 五、结论和建议 六、致谢 七、参考文献Abstract Refering to.thetheoriesofthermoelasticityand thermalinterlaminar stress of composite,we studythe thermalinterlaminarstressatthebondinterface betweenthesiliconwaferandmolybdenumwaferandits influenceonthedistributionofstressin thesilicon,itsvalue is evaluated.电镜法、电阻应变法、红外光弹法等。其中,最常用的是X射线 衍射法和红外光弹法。Brotherton等人采用X射线衍射法测量了 Si/SiO2结构系统中的应力分布情况6.本人所采用的红外光弹法是建立在光测力学的基础上,利用 红外偏振光通过有应力的硅晶体后产生的双折射现象,测量出应 力的干涉条纹级次以求出应力的大小。这种方法有许多优点:设 备简单、放大率可变、容易处理、无害、价廉,因此适于在硅器 件工艺中诊断硅晶体7”。红外光弹法最早是在1956年为 Bond等人所采用。