【硅对称TVS器件结构与特性分析】邓曲平.pdf

目录摘要中文英文一、前言二、PN结击穿理论分析三、TVS器件的主要性能理论分析(一)保护电压.1.保护电压的理论推导.2.保护电压的计算机模拟(二)浪涌电流(三)器件电容四、TVS器件的设计考虑与样品制造(一)TVS器件的设计考虑(二)实验管芯的制备五、TVS器件特性测量与分析(一)特性测量.伏安特性测量,2.冲击击穿电压及响应时间测量 3.

摘要瞬态浪涌过压抑制器(TransientVoltageSuppressor简称TVS)是一种用于过压保护的半导体器件。本文首先分析硅TVS器件的工作原理,它是利用硅PN结的雪崩击穿来限制其两端电压的升高。然后对硅对称双二极管的TVS器件的主要特性参数进行了理论分析。将两个背靠背二极管串联结构等效为一基极开路的三极管,分析并推导出硅对称TVS器件的击穿电压、浪涌电流、电容等主要电学参数的理论表达式。根据TVS器件的击穿电压理论表达式,用计算机模拟了击穿电压与器件中间区宽度W、衬底掺杂浓度NB以及扩散区浓度NE的关系曲线,结果表明,器件的保护电压随W、NB、NE的变化范围大,

overvoltageprotectingdevicethatsuitablefortheAC,highfrequencycircuits keywords:Transientvoltagesuppressor(TVs) p-n junction Avalanchebreakdown Protecting voltage Transient surge current 华南理工大学学位论文稿纸第了页