【氩离子轰击硅背面对硅片中应力的影响】邓星阶硅应力.pdf
目录 摘要 中文 英文 Z 1、红外光弹法的历史回顾 2、离子辐射及其发展概况 3、本论文所作的工作 测量原理 1、暂时双折射.2、一般应力一光性定律 3、二维应力一光性定律 二、光弹测量系统及样片制备 1、平面偏振光装置 2、平面偏振光通过受力模型的光效应 3、森纳蒙特补偿法 4、相对应力一光性系数的确定 5、红外激光光弹测量系统 6、样片制备 三、实验及讨论 1、实验准备及实验条件 2、实验数据3、实验结果及分析 4、实验讨论 四、结论与建议 致谢
ABSTRACT ByuseofSenarmontcompensationmethodinaninfrared photoelasticsystem,theoxidestressinthesiliconwafer bombardedbyargon ionisstudied,themechanismof1ow -energyionbombardmentisalsoanalyzedtheorectically.Thetheory-isingoodagreementwiththeexperimental results.
子半径不同,会使硅晶体发生形变,产生应力1”。低能离子轰 击会将晶格原子轰击出去且留下断裂键,产生一局域化点缺陷,从而引入应力78。离子注入具有热扩散和低能离子轰击两种 机理8?”。在器件封装工艺中,由于支架与硅的热膨胀系数不 同,将在硅中产生应力。在淀积过程中,由于热膨胀系数不 同及晶格不匹配等原因也会引入应力.可控性和衬底材料参数的均匀性,并引起器件参数的离散,使器 件成品率降低和性能下降。缺陷对载流子输运现象(电导率、迁 移率、少子寿命等)有比较大的影响。另一方面,也可利用应力 能够改变器件电学、光学、力学性质的特性,制造应力敏感元件。