【晶闸管制备过程中扩散应力的分析与研究~注】王玉中.pdf

目录摘要中文英文一、引言二、测量原理、光弹性现象和光弹性定律、光弹测量系统和样品制备三、硅扩散应力的理论分析、基本假设 2、晶轴坐标系下应力表达式的推导3、几种常用坐标系下应力表达式的推导 4、实验及讨论.四、晶闸管制备过程中扩散应力的分析与研究.1、晶闸管制备过程中扩散应力的测量与分析 2、晶闸管制备过程中扩散应力消除的研究.五、结论和建议.六、致谢.七、参考文献.

Abstract Refering to the theroyofthermoetress of thin plates in elasticity and considering elastic anisotropy silicon crystal,in this paper,the expressions for diffusion stress of two widely usedgroupe of coordinate systems,which is [110] [1l0] [001] coordinate aystem and [110] [112] [1i1] coordi

一、引言 1、应力的危害在单晶硅的生长、硅片加工和器件制造过程中,硅晶体中很容易形成缺陷和引入杂质。大多数缺陷和非故意引入的杂质是有害的,它们会影响工艺的可控性和衬底材料参数的均匀性,引起器件参数的离散,使器件成品率降低和性能下降.由于人们在单晶生长工艺方面的努力,现在已能控制地成批生产直径达数英寸的单晶,其位错密度已能保证在很小的范围内一直到零。但是,我们还必须考虑工艺过程中引入的缺陷,通常它比原生长晶体中的缺陷更重要。其中的一个原因就是这种加工过程中引入的缺陷浓度比原生长晶体中存在的缺陷浓度高,另一个原因是加工过程中引入的缺陷通常在器件工作区内 1。