【低能量氩离子束背面轰击对SBD特性的影响】王剑飞.pdf
录 摘要(中英文 第一章引言 第二章 基本原理-肖特基势垒 1.肖特基势垒的形成 2.肖特基势垒的1一V特性 S1-S0界面的结构固定电荷 界面态 1.S-SO2界面的结构 -19 2.固定电荷-3.界面态 第三章 测量与实验 测量原理 1.势垒高度和理想因子的测量 -23 2.Si-SO界面的界面态密度的测量 -26 8.Si一SO界面的固定电荷密度的测量 -28 4.测量系统 -28 5.计算机辅助处理程序的设计 -30 实验步骤 -31 1.详品制备 -31 2.低能量氩离子背面轰击样品 -33 9.测量-34 第四章 结果与分析 -35 一.
摘要 本文研究了低能氢离子束背面轰击对A1/n-Si肖特 基势垒二极管(SBD)特性的影响.利用硅钙投触制作肖特基势垒二极管的实验样品,在室温和 1．3×10－8Pa的真空条件下,用低能量(350eV一 550ev)氩离子束进行背面轰击,然后在低温(450C)及氮气保护下进行短时间(20min)退火。轰击的离子束流密 度为0一0mA.cm-2、轰击时间为5-30min。测量样 品的1一V特性,研究背面效击对反向漏电流、势垒高度和理想 因子的影响。
INFLUENCEONTHE CHARACTERISTICS OF SBDBY LOWENERGY ARGON-BEAMBOMBARDMENTFORMBACKSURFACE Abstract Ithasbcewstudiedthat loenergy Argon-beam bombardmeniirombacksurfacei influences on the characteristicsof Al/n-Si schottky barrier diode(SBD) inthispaper.