【氩离子背面轰击对SiO2Si界面系统的影响】锺平.pdf

目录摘要一、引言二、原理(基本原理 1.理论推测发射区杂质激活对小功率晶体管放大倍数B的影响 2.以往对Si-SiO。界面模型的研究 3.界面态来源本征界面态的模型缺陷界面态和杂质界面态 4.固定氧化物电荷模型测试原理 1.界面态密度的测试原理 2.薄SiO,膜的电击穿原理 3.

摘要为了探讨氩离子束轰击小功率晶体管芯片背面,使放大倍数 β和特征频率fr有明显的提高、1/f噪声有明显降低(我校半导体教研组曾绍鸿、李观启、黄美浅等同志申请的发明专利)的内部机理,我选择了氩离子束轰击对Si-SiO2界面系统的影响这一课题。在总结前人研究工作的基础上,发现采用氩离子束背面轰击能降低界面态密度,而固定电荷密度上升不大,这对表面型器件的制造有很大的实际应用价值.而且,这一工艺是在器件芯片制成以后加进的,简捷方便,不再引入新的杂质玷污,具有很大的优越性。

一、引言随着大规模集成电路的发展,Si-SiO,界面系统的研究是当代微电子技术的一个主要课题。半导体硅之所以会成为当今最重要的一种信息材料,主要原因在于硅片上能生长一层性能稳定的SiO。膜,组成优质的半导体-绝缘介质膜系统。目前世界上研究Si一SiO。系统又进了一大步,许多新颖的优质绝缘介质膜不断问世,如氮化硅膜,氮氧化硅膜等,工艺手段也是日新月异.我校半导体教研组的曾绍鸿、李观启、黄美浅同志在实践中发现:小功率晶体管在未封装前用氩离子束轰击芯片背面,其放大倍数B和特征频率f均有明显提高,1/f噪声系数下降,且两年后性能稳定。该项研究已于是1993年4月获得国家发明专利。