【快速热氮化二氧化硅膜电特性测试与界面氮反应模型的研究】王运祥.pdf

目摘要,第一节:引,第二节:集成测试系统．一、集成测试系统的结构、电参数.1、仪器型号．、样品测试台．． 3、系统总结构。:4、系统各种功能．二、操作。．三,薄膜电参数测量．1、固定电荷密度测量,2、界面态密度测量．.四、处理软件．．第三节:实验,。

1、对前人实验结果的解释,2、对本人实验结果的解释．．四、小结第五节:总结.参考文献华南理工大学学位论文稿纸第3页

第一节引言现在,制作半导体器件越来越依赖于金属、半导体及绝缘体的性能,半导体技术实际上是材料技术的总集成。特别是随着MOS集成电路的发展,对绝缘膜的质量要求越来越高。绝缘膜的性能直接关系着器件集成度的提高,在掩蔽能力、台阶复盖性、绝缘性、均匀性等方面有待近一步提高.在半导体工艺中,主要的绝缘膜有氧化硅和氮化硅膜。它们一方面作为MOS结构的棚介质材料,另一方面又可作为整个器件的覆盖绝缘材料,保护器件免遭外界污染等。在半导体器件生产发展初期,Si02薄膜具有许多优良性质,如制作容易、绝缘性好、电导率低、MOS结构固定电荷可做得很小、界面特性良好、在大于几千A厚度对杂质掩藏能力强等