【硅微机械结构的腐蚀特性研究及在超声传感器中的应用探索】李凤英.pdf
目录 摘要 一,引言二.实验机理2硅的各向异性腐蚀机理2硅的电化学自停止腐蚀机理三.实验装置及方法3硅的化学腐蚀装置和方法3硅的电化学腐蚀装置和方法四.实验结果及腐蚀特性分析4化学腐蚀特性的研究4电化学腐蚀特性的研究4硅微结构的化学腐蚀研究4硅微结构的电化学腐蚀研究五.具有腐蚀结构的PVDF超声传感器的性能分析5PVDF超声传感器的性能分析具有腐蚀扩展栅结构的超声传感器性能提高估算六.
一.引言 微电子技术是当代对世界科技进步影响最为深刻的高技术,它不仅依赖 于微电路本身的作用,而且依赖于与微电路接口的各种传感器件和执行器件 的协调一致的工作。随着微细加工技术的日益进步,微电路的生产成本已明显 低于其接口部分的成本。为了寻求低成本、高性能、更小型化的接口构件,人们 发现利用生产硅微电路的同样材料和工艺,能够制出符合上述要求的接口构 件。于是在六十年代末起步的微机械加工技术,近几年来得到了人们的广泛重 视,经过人们的不懈努力和研究,使其在传感器和执行器的制作中得到了广泛 的应用。
二.实验机理 2硅的各向异性腐蚀机理 硅晶片的化学腐蚀分为各向同性和各向异性腐蚀。各向异性腐蚀与晶片 取向和掩膜图形的几何形状有密切的关系,而各向同性腐蚀则往往与晶片取 向关系不大。典型的腐蚀截面图如图2一1所示。在半导体硅传感器制作中,常常用到的是硅各向异性腐蚀.S0控聘 So掩膜 Si Si 各向同性腐蚀<100>硅各向异性腐蚀 图2一1.硅的各向同性和各向异性腐蚀截面图 硅的各向异性腐蚀的特点首先取决于其晶格特点。硅单晶属于金刚石型 它的腐蚀速率比其它晶面要低得多。<100>晶向 H H y H H Si<111)晶向 图2一2.[wshop_paid show_buy_btn="true"]