【快速热氮化SiOxNy膜电学性质的测试研究】何汉翔.pdf

目录摘要一、引言二、实验原理(一)雪崩注入法(二)、高频C一V特性与准静态C一V特性(三)光I一V法三、实验(一)原材料与样品制备(二)测试方法与设备四、实验结果与分析(一)雪崩注入法方面(二)氮化及再氧化后膜中固定电荷密度与界面陷密度的变化(三)光I一V法方面 37

摘要本文利用高频C一V法,准静态C一V法,光I一V法和雪鹏热电子注入法,对快速热氮化sioxNy膜的界面特性及体陷阱等电学性能进行实验分析研究.研究所使用的样品是在高纯氨气中快速热氮化及随后的再氧化制膜工艺下制成MIS电容.我们得到了雪崩热电子注入后。快速热氮化sioxky膜界面产生的施主与受主界面陷阱在半导体禁带中的分布,观察到雪崩热电子注入并不使禁带中间界面陷阱单调地增加。而是先增大,后减小,再增大,分析了雪崩热电子注入后引起的平带电压的漂移,950℃热氮化的six膜在注入电子个数达到4×101 cm一2时。平带电压漂移将出现“迥转效应”。

一、引官随着科学技术的发展,计算机和电子技术广泛地应用于各个领域,而计算机和电子技术的发展是以集成电路和器件的发展为前题。目前。对集成电路的要求越来越高,需要它具有很高的稳定性。可靠性和更高的集成度。现代器件也向着微型化高性能,多功能发展。要达到这些目标。必然需要更高质量.更薄的栅介质(VTGI)。如:256K的DRAM需要栅介质膜为2O0A左右,达到位级的DRAM需要的栅介质有低缺陷密度与高的电阻率。高的击穿电场、良好的界面性质并能有效地阻止杂质扩散等等。而热生长的SiO,薄膜不能较好地阻挡杂质扩散。有较高的缺陷密度。易击穿。抗 Si0,热氮化之后。