[注入硼离子的横向固相外延生长研究及质量分析]吕选芳

【注入硼离子的横向固相外延生长研究及质量分析】吕选芳.pdf目录 摘要§1 引言.2 横向固相外延生长固相外延二 横向固相外延。三 杂质效应对横向固相外延生长的影响。有害杂质对横向固相外延生长的影响,硼等电活性杂质对横向固相外延生长的影响 §3 实验原材料.二 实验设备.三 样品制备。样品测试测试设备二 测试样品制备.5 结果与分析讨论.6 结论致谢参考文献.附图。外延层.本文就是对用离子束溅射在有二氧化硅围形的硅单晶衬底 上淀积非晶硅簿膜,经硼注入和随后的真空退火形成的横向固相 外延生长进行了研究.首先,我们对硼离子的注入对横向固相外 延生长的影响作了研究,我们用金相显微镜观测了横向固相外 延层的生长长度.分析了硼注入对横向固相外延生长的影响,认 为硼注入能够获得横向固相外延生长,在我们的实验条件下掺 硼比不掺电活性杂质或掺P更能提高L-SPE生长长度,而且掺硼 层越厚,L-SPE生长长度就越大.同时认为掺硼的非晶硅在L-SPE 生长过程中有一一个L-SPE生长的极点时间,超过此极点时间后,退火时间对横向固相外延生长无影响.有热氧化物的硅片直接健合在一起,然后用机械研磨和化学刻蚀 方法将上面一块硅片的大部份去掉,只留下一薄层.区下面的材料通过阳极氧化电化学方法转变成多孔硅,再通过 氧化变成二氧化硅.这种多孔硅筑化速率可大到足以产生厚的 二氧化硅使之成为绝缘体,而不发生硅片翘曲.横向固相外延法(L-SPE)-在硅衬底上热氧化-一 层300-3000埃的Si02,然后腐蚀成条状,方形窗口等形状,图形尺 寸为2-20um.再进行化学清洗,在超高真空(UHV)下淀积一层无 形硅(a-Si)
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