【注入硼离子的横向固相外延生长研究及质量分析】吕选芳.pdf

目录摘要§1 引言.2 横向固相外延生长固相外延二横向固相外延。三杂质效应对横向固相外延生长的影响。有害杂质对横向固相外延生长的影响,硼等电活性杂质对横向固相外延生长的影响 §3 实验原材料.二实验设备.三样品制备。样品测试测试设备二测试样品制备.5 结果与分析讨论.6 结论致谢参考文献.附图。

外延层.本文就是对用离子束溅射在有二氧化硅围形的硅单晶衬底上淀积非晶硅簿膜,经硼注入和随后的真空退火形成的横向固相外延生长进行了研究.首先,我们对硼离子的注入对横向固相外延生长的影响作了研究,我们用金相显微镜观测了横向固相外延层的生长长度.分析了硼注入对横向固相外延生长的影响,认为硼注入能够获得横向固相外延生长,在我们的实验条件下掺硼比不掺电活性杂质或掺P更能提高L-SPE生长长度,而且掺硼层越厚,L-SPE生长长度就越大.同时认为掺硼的非晶硅在L-SPE 生长过程中有一一个L-SPE生长的极点时间,超过此极点时间后,退火时间对横向固相外延生长无影响.

有热氧化物的硅片直接健合在一起,然后用机械研磨和化学刻蚀方法将上面一块硅片的大部份去掉,只留下一薄层.区下面的材料通过阳极氧化电化学方法转变成多孔硅,再通过氧化变成二氧化硅.这种多孔硅筑化速率可大到足以产生厚的二氧化硅使之成为绝缘体,而不发生硅片翘曲.横向固相外延法(L-SPE)-在硅衬底上热氧化-一层300-3000埃的Si02,然后腐蚀成条状,方形窗口等形状,图形尺寸为2-20um.再进行化学清洗,在超高真空(UHV)下淀积一层无形硅(a-Si)