【退火方式条件对硅中氧化应力及电特性影响的研究】锺刚.pdf

目普一、摘要 ee+o 二、前言三、光弹性原理、应力-光性原理 13 、平面偏振光通过受力模型后的光效应、森纳蒙特补偿法 4)、相对应力-光性系数四、测量系统及样品制备、红外激光光弹测量系统、样品制备五、退火方式、条件对硅中氧化应力及电特性的影响 23 、面硅单晶氧化应力、面硅单晶氧化应力六、结论七、致八、参考文献 4.

高场击穿率随退火时间的增加而改善,而且中间退火比后退火的效果好.击穿特性与氧化应力有密切的联系,应力的减小使高场击穿比率增加,低场击穿比率减少.由此我们可以得出,氧化应力与器件性能存在着密切的关系。应力的减小必然使器件的性能、可靠性和成品率得以大大提高.另外,本实验还测量了<100>片的1050°C原温后退火和中间退火的应力与固定电荷密度、高低场击穿率的关系,结论与<111>片相同。但<100>片的应力及固定电荷密度比同一条件的<111>片小,高场击穿的比率有所提高,低场击穿的比率有所降低。

理能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性和降低固定电荷密度,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性,而且发展了一种部分和两步湿氧氧化技术,能有效的改善SiO2 膜的击穿特性。他们认为中间退火工艺之所以比后退火工艺能更有效的改善电击穿特性,其原因在于氧化应力导致晶格应变使SiO2一Si界面不平整,随着氧化时间的增加,氧化应力的积累量不断地增大,将使不断内移的界面越来越粗糙。中间退火就在于当氧化应力尚未积累到足大(即界面的粗糙度尚未达到可观的数值)时,便通过退火处理及早释放,以获得较平整的界面,从而减少了第二步氧化时所造成的最后界面的粗糙度。