【快速热氮化SiOxNy的深能级瞬态谱研究】徐美根.pdf

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摘娶 本文用深能级瞬态谱(D L T S)技术研究了快速热氮化 s1oxHy膜的M I S电容界面态密度及界面态俘获截面特性 S1OxBy界面态的D王TS谱线。找到了界面态密度及俘获截 面随能量分布规律,研究结果大体和用雪崩注入法研究结果相 一致.本实验所用样品是在高纯氨气及高温下进行的快速热氮(化 sixFy膜面制成的MIS结构.研究的侧重点是siox Ny 膜的 M I S 电容界面态密度及俘 获截面在硅禁带范围内的能量分析等参数。研究结果发现。快 速热氨比810x3y膜的界面态密度的能量分析是“U”字形规 律。虽然快速热氨化31 0环y膜具有抗辐射能力强。反向击窄 电压大。目录 摘要 一、引言 二、深能级瞬态谱(DLTS)技术 1、深、能级瞬态谱技术筒介 2、DLTS技术的基本原理.三、S1 OxK膜的 Ⅱ I S电容的 DLTS 研究、界面态密度的能量分布NsS(E)2、界面态浮获截面与能量关系 3、DLT S 谱的界面态能级和体内深能级区别.四、实验 1、样品制备 2°DLTS实验的测量29 五。测量结果和分析.1 、热氮化但没有再氧化处理的 S 1/si0xBy:界面态的DLTS谱及结采分析 、热氮化后进行快速再氧化处理的 S 1/S i0x Ny 界面态的DLTS谱及结果分析.一、引言 超大规模集成电路,存贮器、高压二极管等现代电子器 统的S1O,膜具有耐击穿差。缺限多、对水的亲和力过强。易与 电极材料发生反应等缺点。已满足不了发展的要求。近几年来.人们在寻求高质量的介质薄时、发现了快速热氮化sioxby膜.它不仅具有常规工艺条件下sioxNy膜的优点。还具有热缺陷小 杂质不易再分布。平带电压漂移小,界面态密度不大及工艺周期 电子陷阱及界面陷阱增多,大大高于传统的Si:膜的电子陷 究发现。经再氧化处理后的SiOxNy膜。其界面态密度会大大降 低(但仍高于传统的si02膜)。这样。