【可用於50℃～+300℃检测的新型硅扩展电阻温度传感器】黄仑.pdf

摘要(关键词),(I)符号表(Ⅲ)一、引言！一！传感器研究的重要意义 -2温度检测及其意义 -3硅扩展电阻温度传感器的发展.二、新型SRT传感器的工作机理及其模型 -1新型SRT传感器的结构及工作方式 -2新型SRT传感器温度扩展机理及其模型三、实验方法、测量结果及分析一1样品的制作一2实验数据、图表及分析.-3新型SRT传感器电气特性与前人结果比较四、理论模型与实际测量结果比较五、结论及讨论

向,因小圆形n区体积较小,热激发产生的电子一空穴对较少,而且这种结构使小圆形n*区附近载流子漂移速度很快,使周围的空穴“耗尽”,为维持电中性,有多少空穴流出“耗尽”区,就有多少电子流进去,相当于有一等效电场阻止电子流入“耗尽”区,所以只有部分载流子对总电流有贡献,温度超过本征激发温度后,这种关系依然维持,器件电阻值仍随温度而变大,保持正温度系数,只有温度升高到+300℃以后,小圆形n*区内热产生足够多的空穴,电阻才随温度天始下降。

1u:小圆形n*区的半径 r1:圆环形n*区的内径 12:圆环形n*区的外径 r*:II*区的半径 T:温度 U:外加电压 V1:I区的体积 V2:II区的体积 V3:I区的体积 V2*:II*区的体积 Vd:单位电场下电子的平均漂移速度 x:结深 α:电阻温度系数(TCR)μp:空穴的迁移率 μn:电子的迁移率 p:硅单晶的电阻率 0:硅单晶的电导率 1:1区载流子寿命 2:IⅡ区载流子寿命 3:Ⅲ区载流子寿命中:直径 I区:小圆形n*区区:扩展电阻n型硅单晶体 I1*区:小圆形n*区周围硅单晶体,此区域内载流子漂移速度很快,有饱和的趋势(Ⅱ区的一部分)Ⅲ区:圆环形n*区 IV