【硅氮氧化膜的界面特性的研究】严东军.pdf

日录摘要绪论 Si02热氮化SioxMy膜界白特性的列究 3-1.Sio的热氨化 3-2.SiOrNy膜的维份分析 3-3.Si0xNy 膜的-般电学导性 3-4.薄Si02,SiaNgM1S结构的功色教差的证性 3-4-1.理论分析 3-4-2。实验过程(干话刻蚀台阶法) 3-4-3.Si0Mos结构的功无数差的测量 3-4-4St0NyM1S结构的力a数差的量了一4巧巢化前后界后性质的变他薄S0膜离子注入氧化的研究 4-1.实验过程 42.结构分析 4-3.巴学转性分析五.结果分讨论六结论致谢七.心.琴冬资神.九。

二绪论随着微电子技术的发展,对集成电路性能的要求愈来愈高,即要求它具有很高的稳定性,可靠性,和更高的集成度。对于集成电路的一大方向MOS集成电路来说,如何获得高爱量的栅价质已日益破人重视。何如 256K的DRAM绝缘层孕度为200A,1MDRAM的色须会厚度应小子10A。这就要求器件的栅介质层具有优良的物理化学性能。低杂质护散不数,低密度缺路。低电导率。低界红态.密度以说高的击来样性等久,此外,还要求造艺阳一致性好。工艺别参妖简单,易于控制,适合于己是化大生产.目前,成熟好栅介质Si02技术日益完善,但对于适用于亚微节,级的薄S0层还存在着许多技术上的向题。

从己提道的氨他资料事看,[13]了14] 如何控制 Si02层中N的含量是氨化工艺的关键。我的发现,目前氮化所的艺不仅重复性较差,而且不能身由她控别N的含量和 N峰所在的位置。本文的另一工作就是用离子珍入法来实境 S0的氮化。该方法不仅能有敢地通过离子理入的能量和剂量的选择杂控制 N在SD介质膜的含官和分播,而且万以通过选择退火的泄度和时间来控别Si0xM生时形成.这一方法从目前所报道的氨化资料中尚未发现,具有很大的探索性。本又通过选择不同的涂入能量和不同的理入利量及不同的退火条件,试图找出离子注入氣化的住入能量,剂量,退火条件等工艺参数5 S0xN子膜形成的关系。