【横向固相外延生长及其影响因素的研究】罗南林.pdf

摘要引言横向固相外延生长机理实验目的和方法实验样品的制备程序实验结果与讨论结论§7 致谢附录附1:参考文献附2:附图.

15i台随着大规模集成电路集成度的不断提高,通常的二维平面集成电路不仅受到微细加工精度的限制,而且随着器件尺寸的不断缩小,出现了许多二次效应。因此,研制新型的真正立体结构的三维集成电路,近年来越来越受到世界各国的重视。而实现三维集成电路的关键技术是在绝缘层上生长硅单晶体,称之为S0I(SilicononInsulator)技术。利用这种技术可将硅、砷化稼等多层有源半导体层堆积起来,并在上面制作器件,而且所制备的器件具有寄生电容小,运行速度快.可实现自隔离,彻底消除 CMOS电路中的闭锁效应.抗辐射性能增强.抑制小器件尺寸效应.因而大大提高了集成度和可靠性。

一般地,横向固相外延的长度都很十,只有几个微米。为提高L-SPE长度,常采取如下措施:在淀积的多晶硅层中进行P+或Si+注入使其非晶化[12][40].一般地,注入能量为60-160keV.剂量为2x1015cm-2.采用等平面工艺以及超高真空下淀积硅[13].在淀积的非晶Si层中掺杂(一般是掺P),往往能提高 L-SPE长度[14][15][34].3、多孔硅氧化全隔离法(FIPOS)[16]-[18] 最早从事多孔硅氧化研究的是日本的K.Imai等人[48]。