[应用离子电子及光电子能谱研究固相反应形硅化物]余凡

【应用离子电子及光电子能谱研究固相反应形硅化物】余凡.pdf应用离子、电子及光电子能谱研究固相反应形成硅化物 中国科学院自然科学基金资助课题目录 摘 要 引(一)、研究动态文献综述 分析技术评述(二)、(三)、本文的工作 二、实验部分、原材料(二)、设备(三)、样品的制作 四、测试手段和测试结果 1．俄歇电子能谱(AES)2.X射线光电子谱(XPS)3．卢瑟福背散射谱(RBS)三、结果分析与讨论、XPS、AES分析讨论、RBS、AES分析讨论 四、结 论 五、致 谢 六、参考文献 附录生长就是由立方晶系的NiSi2实现的。并且还可以在NiSi>外 延层上再生长单晶Si层[7]8].从而开辟了三维集成和隐埋导 电层在微电子器件中应用的远大前景-9.在Si上,两种外延方向都是可能的:A型NiSi 具有与Si衬底相同的取向.B型NiSi2与Si衬底有相同的表面 法向轴,但相对于Si绕该法向轴有180°的旋转 角。只要仔细控制淀积和退火的条件,两种取向的NiSi2都可 以淀积生长。当镍膜(100A)沉积在Si上经退火处理,反应遵从的生成物次序为Ni.Ni2Si.NiSi.NiSi2[10]。
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