【快速热氮化SiO2膜电学特性测试研究】杨劲.pdf
目录 摘要 一.前言 二.实验原理和分析理论(一)雪崩注入法 光I-V法 三.实验(一)原材料及样品制备)备 三)測試手段 四.
量实验并首次获得有价值的实验结果。我们实 初步表明化将在介膜内引起体电荷陷阱的 增多大约半数量级以及有到起体电荷分布中心向 Si-Si0rNr 界面移动的向;我们見测到快速热氢 化 Si0膜在载流子注入作用下 Si-SiorNr界面产生的正电 何;通过实我们还证明了准分子激光器用于光以 法測量的可行性,得到了选实验最佳光源光子 能量的经验,并提去了进一步改进光源的方案。
和於膜质量还有待进一生的探索,我们 为,在这种情况下,对快速热氨化S和膜陷阱 特性及其声生抓理等问的深入研完,成为 十分必要的題,而目前在方面工作的 报道相对并不多,还有大量问題有待解决 这就成方本文工作的出发点.雪崩注入法是比转成熟的.简便的和 有放的研究半导体件介膜电学特性特 是电荷陷阱特性的一种方法,自从NIco LLIAN 和BERGLUND1971年首次使用宅研究S10膜中 与水有关的电荷中心以来,一直被人们广泛 地使用于研究半导体件膜的电荷特性。