[硅薄片主应力测量研究及扩散应力消除初探]潘永雄

【硅薄片主应力测量研究及扩散应力消除初探】潘永雄.pdf2:72/23[10].T10]]坐-12 3[1T0]、[112]、.坐术标系.目录 2平面偏振光通过受力奠型后的 2采用森纳蒙特补偿法测定小 3.相对应力—光性系数C的计 3不同直名坐标多下,应力了学光系数 张量无的矩陈表亦式的推导 3光率体曲面的一般方程 3两中常用直每坐标系下,术相对 应力一光性系数的汁族 红外光单法状况的回顾 1作者所要解决的向是页.应力—光性定律.光交文应 数级条纹 3讨论 4.测量后统及样品制备 4应力测量系统 4样品制备 万.8.致谢 9.参考文献 10.件录缺陷对器件性能的影响,早在五十年代就已为器件制造者所 认识,如位错会引起扩散增强,使器件成品率降低[1]。对二 极管来说,会使反向漏电流增大、击穿电压下降,导致器件成品 率下降:而对于三极管来说,会使基区穿通、集电结反向耐压下 降、噪声增大、放大特性变环。尤其是当缺陷与硅中的杂质(如 氧、碳以及各种金属等)相互作用时,对器件性能的影响比它们 缺陷与应力的关系非常密切,在缺陷周围存在应力场[2]:而在应力的作用下会诱生二次缺陷,亦使原生缺陷运动、迁移 在器件生产过程中,从初始工艺切、磨、抛到高温氧气、扩 散、淀积、外延、离子注入、封装等都可能在硅中引入应力13 应力对器件性能的影响是多方面的。
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