【应用光电子谱研究NiSubSi111系统中的固相反应】谢海鹰.pdf
目录 摘 I Ⅱ。实 验 一、样品的制作.二、样品的测试分析 1.俄歇电子能谱(AES)分析 2.光电子能谱(XPS和UPS)分析 Ⅲ。结果与讨论 一、测试分析结果AES结果。XPS结果.UPS结果 二、结果讨论 1.B1-Si化合物的形成 2。形成N1一S1化合物的退火温度 3.SiNisi./si sub统构的形成 4。测试分析手段的评价 论 V、鸣 参考文献.
工引盲 过渡金属硅化物的研究近年来一直引起人们广泛的兴趣。大黛 实验结果表明:由于过渡金属较强的化学活性便得其在S1表面淀积 后能较易生成硅化物。这类过渡金属硅化物的电阻率较低具有类金 属的特性,面且具有良好的热稳定性。用它们来代替铝在超大规模 巢成电路中作互联线,引线视板和欧姆接触等有相当大的吸引力.由于N1S12或CoSi2具有CaF:立方晶系结构。晶格常数分别为 5406和5356A,是仅有的几种能在51单晶上外延生长的硅 化物之一,失配系数仅为.05 和～12 [1][2],而且S1也能在 其上外延生长。
80AN1,经650C退火25由AES.XPS和ECP证实 形成了外延的N1Si2相。H1nke1等人通过价带光电子能 谱和芯能级光电子能谐研究发现,在室温下淀积<10A的N1就已 生成了N1S1,经过250C退火便可形成N1S12相。对于NiS12 在界面形成的机理,目前存在着两种看法,Tu[16]认为在生长的 初期N1进入Si表面以下的四面体填隙位,N1原子对其周围的单晶 硅原子间的键合有弱化作用,随着这种11原子的增加,弱化作用不 断加强以至最后打破S1原子间键合.[wshop_paid show_buy_btn="true"]