【线性宽温区硅扩展电阻温度传感器的进一步研究】马志坚.pdf

目录摘要.一、前言二、基本结构、工作特性和高温工作区拓宽机理.21基本结构 22工作特性 23高温工作区拓宽特性的机理三、扩展电阻理论模型及其阻温特性计算机模拟 31扩展电阻理论模型32背面接触区少子寿命对阻温特性的影响 33阻温特性的计算机模拟四、实验 41原材料与版图42改进的工艺措施 43制备工艺44阻温特性测试五、测试结果分析、结论和进一步讨论 51测试结果分析52结论 53进一步讨论六、致谢

一。前言一直以来,人们都在寻求利用新材料,新功能制造各种新型的温度传感器,而随着计算机的日益广泛应用,温度传感器的一个重要发展趋势是从结构型器件向固态型器件发展,因为固态温度传感器能输出易于处理,也易于被计算机接受的电信号。而固态传感器中尤以利用半导体硅制作的温度传感器最引入注目。这不仅因为人们对硅的性质了解得较透彻,硅器件的加工技术成熟,也因为硅传感器与集成电路的工艺相容性好,有可能把更多的器件集成在同一芯片上或封装在一起,构成集成传感器.甚至可把敏感器件,信号处理电路直至微处理器都集成在一起,构成智能传感器。

其工作稳定性越好。之后,PHILIPS公司申请了该项专利, 6 型号为KTY84,综合有关文献表明,SRT传感器具有正电阻温度系数,一致性良好,时间常数小。精度高稳定性好,易于线性化以及易与硅平面工艺兼容,便于集成化,系列化等优点.八十年代初期,SRT传感器在世界许多国家引起了较大的兴方面是SRT传感器是建立在新机理基础上的固态硅温度传感器,它为温度传感器的进一步集成化,智能化提供了更广阔的前景.另一方面是它的生产工艺和硅平面工艺兼容,成本低,而且高温工作区可拓宽至350℃,因此,它较有可能在一50℃.350℃温度范围内取代传统的热敏电阻,另外,从理论上如何定性或定量解释高