【薄SiO2膜高温快速热氮化及其物理与电学特性的研究】张细芝.pdf

目录一,摘要.二、引言.三、实验1原材料与设备 53样品的制备3测试手段四、结果与分析高温快速热氮化膜的组份及结构 .4 电学特性.4 电导机理与模拟五。讨论.六、结论七、致谢.八参考文献附录.

二引言随着微米、亚徽米超大规模MOS集成电路的出现,对绝缘栅的质量不仅要求愈来愈严格,对其厚度也要求愈来愈薄,这主要是由于减小绝缘层厚度是减小结构尺寸、提高集成度的一个必要因素以DRAM为例,256K的DRAM绝缘层厚度d为200A°1M的 DRAM,要求d小于100A°,由此可见,减小绝缘层厚度是提高集成度的一个有效因素,另外,为了提高器件的可靠性和器件制作成品率,要求制造工艺一致性好,工艺控制参数简单,易于控制并还要具有好的化学稳定性,低杂质扩散、低密度缺陷、低电导率低界面态密度以及高的击穿特性。

争议,主要表现如下几个方面.就实验所用的气体纯度来说,据文献[1]报道氨中氧化剂杂质的含量对氮化反应有十分显著的影响,因此必须采用高纯的氨气(99。99 9),而且还要进一步纯化,使氧化剂含量不离于 1pPm以下.文献 5]的作者则认为水的含盘对结果膜影响不大对介质膜中N的分布与负化条件的关系也存在争议,文献[3].[5][7][8][28]都认为在表面和界面有N峰存在,而文献] 则认为界面无N峰,N从表面开始向体内递减。由于各作者所得的 N分布不同,对负化机理的解释也就各异。即使有类似的实验结呆,但对其机理的解释仍有不同的看法。