【高子束溅射淀积aSi膜的固相外延生长的研究】王德荣.pdf

目录摘张:引 S2、实验材料及测试手段 S3、用离子束溅射形成非晶硅膜(a一si)一。成膜过程及设备二、影响淀积速率的因素三、用离子束溅射淀积能满足固相外延要求的a一si膜的几个技术问题、满足固相外延生长的薄膜要求 2、实验中出现的问题 3、问题的解决 4、结果分析 34、用国相外延技术在单晶硅衬底上生长s1单晶薄膜一、固相外延生长及其机理二、样品类别及退火方法三、退火样品的测试结果四、结果分析与讨论

摘要本文对离子束溅射在si一sub上淀积a一s1膜的固相外延生长进行了研究。首先,我们对溅射成膜过程中,影响淀积速率的因素进行了讨论,并利用AES深度分析对薄膜质量和界面质量状况进行了研究。在此基础上指出,获得良好的满足固相外延生长的a一 s1膜的有效手段是:淀积薄膜前的衬底硅表面处理及淀积薄膜暴露大气前的致密性热处理。对于前者,除了要进行化学清洗、离子束剥离清洗之外,还需进行表面热清洗(200-400℃.10m1n)对于后者,室温淀积的薄膜暴露大气之前要在真空中400℃下进行致密性处理(30～45min)

或在表面产生应力等.3)通过离子束剥离来减薄样品,用以制备电镜(TEM或 TED)及其它表面分析用的样品.较低。如UnvaLa和Perman在1970年首先报道了用直流溅射法进行s1的外延生长,他们发现在700一730℃温度下,开始出现多晶膜向单晶膜的转变,随后,一些作者也陆续对这方面的工作进行了研究和报道。近来,人们对有关s1si一sub的固相外延生长(SPE)集中于:利用电子束或真空蒸发及CVD等法淀积多晶硅膜,通过大剂量的s1离子注入,使之变成非晶硅,经过退火积a一si膜的固相外延生长这方面的报道目前很少。