[高子束溅射淀积aSi膜的固相外延生长的研究]王德荣

【高子束溅射淀积aSi膜的固相外延生长的研究】王德荣.pdf目录 摘 张:引 S2、实验材料及测试手段 S3、用离子束溅射形成非晶硅膜(a一si)一。成膜过程及设备 二、影响淀积速率的因素 三、用离子束溅射淀积能满足固相外延 要求的a一si膜的几个技术问题、满足固相外延生长的薄膜要求 2、实验中出现的问题 3、问题的解决 4、结果分析 34、用国相外延技术在单晶硅衬底 上生长s1单晶薄膜 一、固相外延生长及其机理 二、样品类别及退火方法 三、退火样品的测试结果 四、结果分析与讨论摘要 本文对离子束溅射在si一sub上淀积a一s1膜的固相外延生长 进行了研究。首先,我们对溅射成膜过程中,影响淀积速率的因素 进行了讨论,并利用AES深度分析对薄膜质量和界面质量状况进 行了研究。在此基础上指出,获得良好的满足固相外延生长的a一 s1膜的有效手段是:淀积薄膜前的衬底硅表面处理及淀积薄膜暴 露大气前的致密性热处理。对于前者,除了要进行化学清洗、离子 束剥离清洗之外,还需进行表面热清洗(200-400℃.10m1n)对于后者,室温淀积的薄膜暴露大气之前要在真空中400℃下进行 致密性处理(30～45min)或在表面产生应力等.3)通过离子束剥离来减薄样品,用以制备电镜(TEM或 TED)及其它表面分析用的样品.较低。如UnvaLa和Perman在1970年首先报道了用直流溅射 法进行s1的外延生长,他们发现在700一730℃温度下,开始 出现多晶膜向单晶膜的转变,随后,一些作者也陆续对这方面的工 作进行了研究和报道。近来,人们对有关s1si一sub的固相外延 生长(SPE)集中于:利用电子束或真空蒸发及CVD等法淀积多 晶硅膜,通过大剂量的s1离子注入,使之变成非晶硅,经过退火 积a一si膜的固相外延生长这方面的报道目前很少。
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