[非超高真空形成CoSi2Si异质结及CoSi2电子结构的研究]王建明

【非超高真空形成CoSi2Si异质结及CoSi2电子结构的研究】王建明.pdf目录 摘要 弓言 形浅机理 二 实验程序 三 原材料 2薄膜的制备 3退火处理 测试手段及结果 -15 1俄歇电子能谱(AES) -15 2x射线和紫外光电5能谱(xPS.引 过渡金属硅化物薄膜的研究在国际上已十分活 跃。过渡金属硅化物能在较低温度下与硅衬底通过 固相反应形成均与的醒化物层。由于金展醒化物具 有电阻率低、接触电阻小、应小。易形成、稳定性好 以及与四件生产工艺兼容性好的特益而被广泛地应用 于超大规模集成电洗的由极和全属正过线中。同时,MS:2和CS2还母有另外一些独特的性质,如属于 立方品系结构(有 CaF2类型结构)、且与单晶硅n品杨 失配了数小(N;S;2和 CoS2分别为 0 和12),能 在单晶硅上外延生长,也能在其上外延生长单晶硅。另 外CoS具有热稳定性好等特性。华南即I.大学研究生学位花文 面分析技术的发展,x射线光电子谱(xPS)紫外光 电子谱(PS)和同号加速辐照等检测技术的于泛 应用,人们已开始了对硅化物此界面;电子结构以 Terosff nHamann 发旦大学徐永年等己对CoS2、M心2的能第结构进行 了理论方面的计算。文献[a0]一[28]大量报道了对 CoSi2、MiSi2hxPS和UPS的测试结果,得了 过液金为殖化物片过液金属d轨道与S原子引轨 道间的爽化贱键决定了过液金為建化物电子结构的 基本特性以及硅化物片金属无子的光电了加结全能 加数值范围。
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