【非超高真空形成CoSi2Si异质结及CoSi2电子结构的研究】王建明.pdf

目录摘要弓言形浅机理二实验程序三原材料 2薄膜的制备 3退火处理测试手段及结果 -15 1俄歇电子能谱(AES) -15 2x射线和紫外光电5能谱(xPS.

引过渡金属硅化物薄膜的研究在国际上已十分活跃。过渡金属硅化物能在较低温度下与硅衬底通过固相反应形成均与的醒化物层。由于金展醒化物具有电阻率低、接触电阻小、应小。易形成、稳定性好以及与四件生产工艺兼容性好的特益而被广泛地应用于超大规模集成电洗的由极和全属正过线中。同时,MS:2和CS2还母有另外一些独特的性质,如属于立方品系结构(有 CaF2类型结构)、且与单晶硅n品杨失配了数小(N;S;2和 CoS2分别为 0 和12),能在单晶硅上外延生长,也能在其上外延生长单晶硅。另外CoS具有热稳定性好等特性。

华南即I.大学研究生学位花文面分析技术的发展,x射线光电子谱(xPS)紫外光电子谱(PS)和同号加速辐照等检测技术的于泛应用,人们已开始了对硅化物此界面;电子结构以 Terosff nHamann 发旦大学徐永年等己对CoS2、M心2的能第结构进行了理论方面的计算。文献[a0]一[28]大量报道了对 CoSi2、MiSi2hxPS和UPS的测试结果,得了过液金为殖化物片过液金属d轨道与S原子引轨道间的爽化贱键决定了过液金為建化物电子结构的基本特性以及硅化物片金属无子的光电了加结全能加数值范围。