【快速热氮化SiO2膜陷阱特性的雪崩热电子注入研究】杨光有.pdf

目录摘要一、引善.二、雪崩注入理和陷阱研究理论(一)雪崩注入理(二)、陷阱研究理论三、实验(一)、所材料与设备(二)、样品制备(三)测试手段与方法四、结果与讨论(一)膜内成份分析(二)雪崩注入电流、驱动信号参数和平带电压漂移三者的变化关系15(三)、雪崩热电子注入对快速热氮化sio.膜陷阱特性的影响(m)、快速热氮化Si02膜陷阱特性的研究五、结论附录A 附录B.六、致谢.

华南理工大学研究生学位论文2 一、引1言快速热氨化siO膜是近几年来为克服常规工艺下SiOxMy膜的杂质容易再分布,电子陷阴过多等缺点出现的一种新型介质膜,它除了具有常规工艺F SiOxMy腰的优点以外,还具有热缺陷小,杂质不易再分布、平带电压漂移小、界面态密度变化不大和工艺周期短等优点[1-5 优质的快速热氨化si0z膜可逐步取代常规工艺下的siOxM膜,用于超大规模集成电路(VLSI),存购器,高压二根营等现代电子器件中[6 然函,快速热氮化si0,膜仍然存在着一定的电子陷阱和界面陷阴[4],[7],尤其在高场中,电子陷阱和界面陷阱对 M0S场效应晶体营(MOSFE

华南理1人学械究气,包论文4 二、雪崩注入阮理和陷阱研究理论(一)、雪崩注入远理雪崩热电子注入是在金展一介质膜一Si结构(简称MIS电容)」进行.设作用在电容上的信号电场为 F=Fsinwt F=Fosinwt(Q)(b) 图1.作用在介质膜上的电场倍号见图1。