【硅中离子注入应力及应变补偿扩散的研究】蒋连生.pdf

目录摘要一、引官二,光弹原理 1、应力一一光性定律 2、平面偏振光通过受力模型后的光效应 3、圆偏振光通过受力模型后的光效应 4。Senarmont补偿法确定小数级条纹级次 5、相对应力一一光性系数的确定三、测量系统及样品制备四、离子注入应力分析 1、工艺条件及有关理论2、磷离子注入应力测量分析及讨论五。应变补偿扩散中应力情况1、有关理论及工艺条件。实验给果及分析六。结七致八参考文献

一、引言随着整机的发展对器件质量要求越高,随着器件结构复杂化和高质量,高可靠性发展,对半导体材料质量提出了越来越高的要求.除了要求单晶具有一定的导电性能外,还对单晶的晶格完整性提出越来越高的要求。人们为了对硅单晶质量进行深入细致的研究,采用了.一系列的分析手段如:质谱仪、红外光谱仪。红外显微镜。电子探针、离子探针、电子显微镜、俄歇能谱、放射性造化法、X光貌相法,电子顺磁共振法等等。通过研究,不断改进工艺技术,使硅单晶的质量大为提高.硅中缺陷和器件间的关系,在以制造微米级和亚微米级结构为目标的超大规模集成电路技术中,变得越来越重要。人们已经通过实验证实硅中缺陷的形成。

在器件制造中常利用损伤的某些物理化学效应,如:通过离子注入可使腐蚀速率增加,杂质溶解度增大,氧化速率加快,掺杂剂的扩散系数增大.同时损伤对制造成器件的电学性质还有影响,如:降低载流子的寿命,深能级中性化,引起较大的结漏电流,降低双极性晶体管的增益和光电子器件的灵敏度:随着离子注入在晶件中产生大量缺陷,同时注入的黎质原子往往处于间隙位置,一般不能提供导电性能,故从器件应用方面考虑,必须设法消除这些缺陷,并便注入的杂质原子转入替位位置以实现电激话,这就需要进行退火。