【硅压阻式压力传感器的研究】彭正福.pdf

目录指娶、前言.二、基本原理1、半导体的压阻效应、压阻式传感器.三、膜片结构的应力分析.1、圆形膜片.方形和矩形膜片、硅材料的各向异性弹性性质4、小挠度平面理论及有限差分法5、方形膜片的且型结构分析四、压阻效应的非线性和温反特性影响.五、传感器的设计、材料的选取及膜片几何尺寸的考虑、电桥及扩散电阻) 3、力敏元件的布置

摘娶作为重妥的半导体传感器件之一的硅压阻式压力传感器是六十年代出现,七十年代迅速发展起来的,它采用了敏感电阻与硅膜片一体化的结构形式,具有你积小,重量轻,稳定性好,响应快,灵敏度高等优点,由于能与集成电路工艺相容,集成化的器件也已出现,是一种很有发展前途的传感器件.本文对硅压阻式压力传感器的原理及发展进行了总结。采用有限差分法在小挠度近似下对一种新的、方卫型结构的硅膜片的应力分布进行了分析,分析过程中对边界条件进行了近似的处理并考虑了硅材料的各向异性弹性特性。采用这种结构的压力传感器具有灵敏度高,非线性小,正逆压误差小的优点,对这种传感馨的设计近行了讨论。

重量轻,稳定性好和灵敏度高的特点而逐渐引人注目.半导体的许多敏感效应在很久以前就已发现(如1879年发现的置尔效应),半导体传感器则是三十年代出现,六十年代以后才迅速发展起来的新型传感餐件,它先是受到空问技术,随后又受到医学应用的刺激,近十年来已发展到数大类,上百个品种,并以惊人的速度向各个领域渗透,与其它器件比较,半导体传感器有许多特点,由于主要的敏感效应发生在原子内部,改制成的传感器灵敏度高,检测范围广、响应快、寿命长、可靠性商。