【扩散工艺中的应力研究及应力对MOS电容的高频C-V特性曲线的影响】黄晓红.pdf

摘要一。引言二、光弹基本原理 1、应力一光性定律 2、.平面偏振光通过受力模型后的光效应 3、采用森纳蒙特补偿法测定小数级条纹 4、相对应力一光性系数的确定三、磷扩散掺杂应力分析1、实验装置2、样品制备 3、测量与分析 14 四。应力对 MOS 容的高频C一V 特性曲线的影响 2 5 1。样品制备 2。加压装置及原理3.加压测试 28 五。结论六。致谢.

一。引言大量的研究表明晶体缺陷和器件性能有着密切关系。早在五十年代,通过实验就确定了位错使少子寿命降低,用不同位错密度的单晶制管,认为位错会引起扩散增强,使器件成品率降低[2,尤其是当缺陷和硅单晶中的杂质(如氧,碳和各种金属等)相互作用时对器件性能的影响比它们各自单独的影响要更严重[1]。这种相互作用主要体现在杂质在缺陷中的沉淀,而这种有杂质沉淀的缺陷正是器件漏泄电流大,击穿电压低,成品率低,可靠性差的主要根源。人们在研究中还发现,诱生缺陷的形成与长大均与应力状况密切相关,诱生缺陷的产生就是由于各种原因引起的应力(如点阵失配引起的晶体内部应力,机械损伤所造成的应力,过大的温

散浓度超过5×102°/cm”,则会引起P原子的过饱和,过剩的卫原子浓度则以填隙式或作为非常小的填隙式堆集存在于硅晶体当中,[610,11] 在扩散层产生压应力,使弯曲面是凸的检测扩散引起的应力,一般采用×射线法[,2]。这种方法是通过测量硅片在大面积内的弯曲曲率,根据弯曲率与应变的理论关系,算出应变,从而根据虎克定律计算弯曲应力,这种测应力法不直观,并且只能计算扩散层所产生的平均应力,无法计算硅中各层所产生的应力。而本文采用的红外光弹法是根据光弹原理,因硅晶具有直观、清晰、适用范围广,无破坏性,易于和计算机结合等优点。可分析计算硅单晶及器件生产中各工序(切。磨、抛,氧化。