【镓锢砷负电子亲和势光电阴极基片的研究】陈达利.pdf
目录 摘娶 一、引言 二、设计原理(工作波段在09～15μm范围的透射式负电子 亲和势(NEA)InxGα-xAs/衬底的结 构设计.实验装置的设计 三、实验过程(一)实验系统装置(实验程序:用CCLPE生长P-InxGa-xAs发射层 四、结是与讨论InxGa1-xAs/InP异质结构的P-I nxGa1-x As 外延层的表面形貌.P一InxG ai-xAs 外延层中少子浓度的测定
摘 要 本文利月流诱导液相外延生长技术(简称CCLPE)在掺Sn 的n一InP衬底上生长了一层1一2μn厚的P-Inx Ga1-xAs(X=053)外延层(掺Zn,浓为3X101cm),得到了InxGat-xAs/InP异质结构的负子亲和势(NEA)透 射式光阴极发射材料波长响应范围可忘达到09一15口m.用比子探针显微镜(EPMA)和扫描子显微镜(SEM)分析表明,生长的外延层表百光亮如镜厚度均匀沿生长方向的组分异常稳 定,克服了国内常月的液相外延生长InyGai一xAs时常出现的台 阶状?各种微缺陷以及纵向存在浓度梯度的缺点。
式)其积分灵敏度已由最初的数+mA/流明增加到数百mA/流 明。所有这一切工作和努力其目的在扩大光谐响应范围,向近红外 扩展提高灵敏度增大发射效率提高工作稳定性.负也子亲和势的工作原理可月图一说明.E E 图 按照负子亲和势和逸出功的定义有 X=E。-EX(E。-EF)如买实现负宅子亲和势必须满足条件: