【硅中过渡金属钽的深能级研究】黄万民.pdf

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硅中过渡金属钮的深能级研究 引 盲 二 测量原理 三 样品制作及测量结染 四 讨 论 五 结 论一引。言 半导体材料之所以获得极为广泛的应用,主要原因在于它们具 有独特的掺杂效应。即只要掺入极痕量(1 一1 0 0 PPm)杂质.就可以对其电学性质、光学性质等进行预期的控制。因此,研究半 导体中的杂质行为,是一个十分重要的课题.半导体材料中的杂质,一般可分为浅能级杂质和深能级杂质两 类。前者在半导体禁带中引进的缺陷能级是紧邻价带或导带,起受 主或施主的作用,对材料的导电特性等起着控制作用。面后者在禁 带中引进的是离价带和导带都较远的缺陷能级(通常称为深中心。通过掺Au。Pd等用于提高S1开关二极管的开关速度。所以,研 究半导体中过渡金属的杂质行为是有实用价值的。从六十年代以来,有关这一领域的研究一直是相当活跃的,无论在实验检测方面或在 理论研究方面,人们都做了大量的工作。到目前为止,对于硅中3d 过渡金属杂质行为,人们已进行过系统的研究3)而对大部分4d, 钮(Ta)是5d过渡金属元素,在半导体器生产中．有着广泛 的应用。如Ta2O在器件玻璃钝化技术方面,可用作锭化膜的网络 调节剂!4)Ta205也可用作太阳能电池的抗反射膜?