【固相外延形成CoSi2Si异质结的研究】肖金生.pdf

目摘要 S1序 A .2 前人工偿与本文特点固相外延形成CoSi2单晶薄膜的机理 S 实验方法 841衬底及靶材制备 S42离子溅射成膜 S4稳态热退火 85测试手段 .51俄歇电子能谱 852电子通道花样:S53I-V特性与势垒高度 86结果与分析 86组分分析 62晶格完整性鉴定 63电学特性分析结论 .8 致谢 59附录 A、单面工一V法公式推.B。

序言获得更高的开关速度或工作频率一直是半导体器件与集成电路的发展方向之一,双极型晶体管的基区宽度受穿通电压及工艺限制不能减至很薄基区渡越时间基区电阻成为制约双极型半导体器件及集成电路速度或频率提高的重要因素。如果用金属代替半导体作为基区的材料。即可解决上述的问题。五十年代到六十年代中期人们进行了半导体/金属/半导体晶体管(SMST)方面的研究SMSZE 总结了这一阶段的研究成果(L)指出SMST具有优越的高频燃能但遗撼的是电流增益相当低(低频共基极电流增益低于03)为了避免电子在传输过程中受到严重散射从而提高电流增益要求SMST 的基区金属及上面的半导体

性质越来越受到人们的重祝,CoF12具有较好的热稳定性和较长的载流子散射长度{4)。在 Si/CoSi2/S1 三层单晶结构的外延生长中。CoS12具有较好的稳定这些都是制造性能优越的金属硅化物/半导体双异质结三层结构的典型(6.么3)。文献中指出当CoS12厚度为2Q0A时。载流子的散射长度约为400A 因此以硅化物器件为目的的Si/CoSi2/Si三层结构中。CSi层的典型厚度为1Q0A,以电极或互连线为目的的C。S12层厚度是千埃效景级。其形成条件不适应于人0o的情况,因为C。S12单晶薄膜的形成条件与成膜方法及膜厚有密切的联系。