【硅片中氧化应力及封装应力的测量及研究】黄岚.pdf

目录摘要一,引言.二、基本原理.一般光弹基本原理)晶体光弹基本原理及相对应力一光性系数计算三.实验装置及样片制备.12实验装置及系统误差分析二样片制备四、实验及讨论(一)样片主应力方向的确定及定量测量口单晶片的原始应力及热处理消除 21 氧化应力的测量和研究四封装工艺中环氧树脂层对硅片应力的影响(西) 模拟塑封工艺在硅中引入的应力五、结论和建议六、致谢七、参考文献.

一、引言硅器件生产的切、磨、抛、高温热处理及封装工艺都可能在硅中引入应力1.2,对硅中杂质和缺陷的大量研究表明:硅中缺陷的产生、运动、演变及相互作用与硅中应力状况密切相关(3,硅中杂质和缺陷周围存在应力场,应力也会在硅中引入缺陷、产生杂质集中(41。对缺陷与应力的关系自前已经进行了一定的理论研究,其中对位错与应力的关系研究得比较深入,已经利用弹塑性力学的理论,建立了一套理论模型(51.硅中的应力还会改变硅的能带结构(6,71,从面影响器件的电学参数,目前广泛使用的硅压敏传感器就利用了这一原理,最近还发现,晶格损伤应变会引起带隙变窄(81。

把红外光弹法用于研究硅中应力的工作早在1956年脱由 Bond和Andruθ〔231开始了年,Giardini 测量了在(1001、(0101、(0011坐标系下,硅的弹光系数在波长1um处的值,为定量分析硅中应力奥定了基础.1969年,H188i.nb6tham 251也由买验测出了硅晶体在 1um处的弹光系数,由于两者给出的结果相差较大,文献(19,261等对此作了选择,认为Hi881nbothm弹光系数与实验值将合较好。对硅单晶应力及缺陌的研究已有许多文明作了报道。目前,已能对硅单晶中的应力进行逐点小数级定量测量 1？