【热氮氧化硅电导与击穿特性的研究】詹广生.pdf
目录 摘 一、引 言 二实 验 .21 原材料 2223 样品制备 2 测试 三、结果与讨论.31 AES结果 .32 高频C一V结果 3 I-V结果.3 分压模型35 导电机理 .3 击穿结果.四、结 论五致 谢六、参考文献.
一、引言 高质量的超薄栅介质层(very thin gate insulators:VTGI)是发展微米和亚微米超大规模MiOS集成电路(VLSⅡ一 0S)的先要条件提高器件的集成度,要求减少绝缘层的厚 度以大规模随机存取存贮器(DRAM)为例,256K位DRAM绝 缘层厚度为200A如果使用一个晶体管／单元结构,1兆位 DRAM其绝缘层厚度要求小于10OA兆位高密度的FLOTCX E2PROM器件绝缘层或者隧道介质层的厚度应小于100A 1] 对VTGI要求其控制工艺流程的参数尽量少和易于控制制造 工艺一致性好。
则认为在高温下氮化二氧化硅能够消除因幅射产生的界面态.对二氧化硅氮化后电导特性也存在争议 1]., 13] 16], 17], 18]。一般只是给出实验结果,并没有 提出较一致的导电机理.文献 1]作者研究了温度在900℃干氧生长的二氧化硅在 1000℃氮化4小时前后的电导特性,认为氮化后电导增强,在 电子从栅极注入为主要电流的情况下(衬底处于积累态),氮化后 电导增强的原因是表面区形成富氮区,从而降低表面势垒高度.硅 一二氧化硅界面附近形成富氮区也能降低空穴的势垒高度,从而增 加电导指出FN(Fowler一Noraheim)隧道贯穿电流传 导是氮氧化硅中主要传导机构 Cheng 1