【用於VLSI的SiO2热氮化膜的研究】刘志宏.pdf

用子VLSI的SiO热氮化膜的研究摘要引言二,实验 2一1,实验程序 2-2。层厚与新射率的测量 2一3、组份分析 2-4、电学参数三.结果与讨论 3一1.氮化细果一2、氮化初理分析 3一3.氮化模型 3-4.电学特性四,结论.五,致谢六。参考文献.

“引言为了使M工S集成器件进一步高度集成化,近十年来,人们一宜在寻找高质量超尊(小号200A 纯像督材料,以消足发展以及记忆器件如DRAM和EPROM等方面的豁要,据报道,目前 256KR本M绝终层厚度为200A以下,而EPROM则醫要游于 100A的粉绝缘层.对栅绝综介质层要求其制造工艺一致性好:工艺参数筒单,易于控制,并且要具有低密度的缺陷,低电导率以及良好的击穿特性,此外,为了满足器件制作上的臂要,绝缘层还必须具有对电学杂质的有效掩藤扩散能力,在这些方面,二氧化硅过去一直波认为是较佳的才料。但随若厚度的下降,二氧化硅就暴露出一些工艺上和可靠性方面的问题。

平均击穿场强为105Mv/cm的氮化膜,其最大击穿场强则达到安。面文献 26]报道了高达20Mv/cn的击穿场强。膜性能的改善,据信是由于膜的结构与组份的改交所造成的。氨化的结累这种复化反应是不完全的,是在整个氧化层和硅衬底间发生的,而不是的表面开始向纵深发是的,有物理分界面的过程。MM MOS工EH工在他们的工作中发现,在氨化开始后儿十秒内,氧化指出,氧化物中氮的总量在氛化开始后很快就趋于饱和.人们已经观察到了对二氧化硅的直接热氨化导致了氮化物和氮氧化物的形成。