【砷化镓负电子亲和势光电阴极基片的研究】曾庆科.pdf

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目录 摘要 一、引言 二、设计原理(一)工作波段在0～0μm的透射式负电子 亲和势GaAs光电阴极的组成设计(二)用电流诱导液相外延法生长P型GaAs/Gα1-xAlxAs/GaAs(衬底)异质结构(三)实验装置的设计 三。实验装置和程序(一)实验装置(二)实验程序 1.用电流诱导液相外延法在N型GaAs衬底上 生长高铝组分的Ga1-xAlxAs(X=0)外延层 2。用电流诱导液相外延法在N型GaAS衬底上 生长P型GaAs/Ga:-xAlxAs 异质结构.31 四、结果与讨论(一-)Ga1-xAlxAs/GaAs 异质结构的GaxA1xAs 外延层摘要:到目前为止,国外制备P一GaAs/Ga1-xlxAs/n-GaAs(衬底)负电子亲和势光电阴极基片的普遍方法是先在GaAs衬底 上外延高铝值铝砷过渡层,然后再气相外延生长一层薄的卫型 GaAs发射层由于普通降温液相外延生长过程中:温度下降,铝 组分分凝迅速,造成GA1xAS过渡层中铝组分浓度不稳定:出 现纵向浓度梯度.特别是外延生长高铝值Ga一xAlxAs过渡层,十分易受氧化造成气相外延P型GaAS发射层时,结构缺陷较多,掺杂不均匀等问题。本文采用电流诱导液相外延法(CCLPE)在型GaAs衬底上先生长高铝值Ga.一、引 1年,S1mon根据半导体物理的研究首先提出了负电 子亲和势(NEA)理论。1 9 6 5年,Scheer 与Laar[1]首 先研制出GaAs一一Cs负电子亲和势光电阴极:积分灵敏度达 500μA/1m,阔值波长入。达900A。由于理论模型上的概 念新颖以及这类材料所具有的量子效率高,暗电流小,电子能量 分布集中、扩展波长阔值的潜力大等等优点,在这个领城引起了 深刻的变化。从那以后,夏一V族化合物光电阴极就成了光电发 射材料研究的主要方向。大量的研究工作集中在扩展光谱响应范 围。确定影响光电发射特性的因数以及制造透射式负电子亲和势 光电阴极上。