[电外延高铝值镓铝砷生长特性及生长界面稳定性的研究]张小南

【电外延高铝值镓铝砷生长特性及生长界面稳定性的研究】张小南.pdf目录 一。摘要 二.引言.三,基本原理 一V族三元,四元化合物的生长模型 四,实验过程(一)实验装置(二)母液的配制 高铝角Ga一A1As三元相图的推导 800C时固相铝组分分数X值与液相中 溶质重量的关系 3.实验中一些母液配方(三)实验步骤 五,实验适果与封论(一)生长速度与外延层中x值的关系(二) Ga1-xA1x-As(0x≤0=75)外延层 的组铝组分分有(三)外延层中缺陷密度FD与生长电流密度 了的关系一。摘要 众所周知,液相外延(LPE)技术自1963年Ne1son 提出以来至今天仍为制造半导体光电器件的主要手段,近年来,液相外延技术有了很大的发展,现在已能生长出较好的外延片.但是,由于其本身的固有缺陷,如不容易精确控制外延生长速度,多组元生长层中有明显的组分梯度等等,人们正在研究一种很有 希望的外延新工艺一一电外延(CCLPE)实验证明,电外延很 有可能解决热外延所不能解决的问题,过去的十多年间,电外延 生长的外延片,在一般性能方面,已能与热外延片相媳美,而在 9a1αA1xAs(x
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