【电外延高铝值镓铝砷生长特性及生长界面稳定性的研究】张小南.pdf

目录一。摘要二.引言.三,基本原理一V族三元,四元化合物的生长模型四,实验过程(一)实验装置(二)母液的配制高铝角Ga一A1As三元相图的推导 800C时固相铝组分分数X值与液相中溶质重量的关系 3.实验中一些母液配方(三)实验步骤五,实验适果与封论(一)生长速度与外延层中x值的关系(二) Ga1-xA1x-As(0x≤0=75)外延层的组铝组分分有(三)外延层中缺陷密度FD与生长电流密度了的关系

一。摘要众所周知,液相外延(LPE)技术自1963年Ne1son 提出以来至今天仍为制造半导体光电器件的主要手段,近年来,液相外延技术有了很大的发展,现在已能生长出较好的外延片.但是,由于其本身的固有缺陷,如不容易精确控制外延生长速度,多组元生长层中有明显的组分梯度等等,人们正在研究一种很有希望的外延新工艺一一电外延(CCLPE)实验证明,电外延很有可能解决热外延所不能解决的问题,过去的十多年间,电外延生长的外延片,在一般性能方面,已能与热外延片相媳美,而在 9a1αA1xAs(x<03)电外延层中有稳定的铝组分分布和较少缺陷及复合中心数目等方面则显示出了突出的优越性,从而

文认为:铝组分的这种稳定性是电外延系统本身的固有特性一恒温生长特性所决定的,普通热外延目前尚不能制备出无明显铝组分梯度的外延片.本文对电外延过程中固一液相界面生长机理进行理论探讨,笔者以Mullins等人“晶体生长界面稳定性”的理论为依据,讨论了电外延生长体系的生长界面稳定性,导出了该系统生长方程式,从而得出稳定性判据。通过对生长界面中存在和不存在微扰两种情况的物理和数学分析,得出了由于电迁移生长速度V的引入,大大加强了生长界面的稳定性的结论。